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J-GLOBAL ID：201402210025113965   整理番号：14A1016523

シリコン原子空孔軌道の強い四極子-歪み結合による自発歪みと臨界濃度

著者 (5件)： 三本啓輔 (新潟大) ,  木村駿生 (新潟大 大学院) ,  赤津光洋 (新潟大 理) ,  根本祐一 (新潟大 大学院) ,  後藤輝孝 (新潟大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 69  号： 2 第4分冊  ページ： 705  発行年： 2014年08月22日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *空孔欠陥 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  *歪 ,  結合 ,  濃度
準シソーラス用語： 原子空孔 ,  *シリコン ,  四極子結合 ,  臨界濃度

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  原子空孔 ,  軌道 ,  四極子 ,  歪み ,  自発歪み ,  臨界濃度