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J-GLOBAL ID：201402243437427420   整理番号：14A0564307

分子線エピタキシーによってβ-Ga₂O₃(010)基板上に成長したGa₂O₃エピタキシャル膜の構造と電気的特性の成長温度依存性

Growth temperature dependences of structural and electrical properties of Ga₂O₃ epitaxial films grown on β-Ga₂O₃ (010) substrates by molecular beam epitaxy

著者 (6件)： SASAKI Kohei (Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN) ,  SASAKI Kohei (National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN) ,  HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN) ,  MASUI Takekazu (Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima, Tokyo 176-0022, JPN) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 392  ページ： 30-33  発行年： 2014年04月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタキシーによってβ-Ga₂O₃(010)単結晶基板上に成長したSnドープGa₂O₃ホモエピタキシャル膜の構造と電気的特性の成長温度依存性を調査した。原子的に滑らかな表面を有するGa₂O₃膜が550~650°Cの成長温度で得られた。一方で,おそらく偏析によるものかもしれない,Ga₂O₃中のSn原子混入の遅延が,600°Cより高い成長温度の初期成長段階で生じていた。高い結晶品質と正確に制御したキャリア密度の両方を有するSnドープGa₂O₃膜を確保するための最適な成長温度は,540~570°Cに設定する必要がある。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *酸化ガリウム ,  基板 ,  単結晶 ,  *ホモエピタクシー ,  平滑度 ,  基板温度 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  偏析 ,  *キャリア密度 ,  温度依存性 ,  *ドーピング ,  スズ

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 分子線エピタキシー ,  β-Ga2O3 ,  成長 ,  Ga2O3 ,  エピタキシャル膜 ,  電気的特性 ,  温度依存性