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J-GLOBAL ID：201402274557982471   整理番号：14A0551329

上昇雰囲気温度におけるに表面活性化接合(SAB)に基づくSi/SiC接合でのI-V特性

I-V characteristics in Surface-Activated Bonding (SAB) based Si/SiC junctions at raised ambient temperatures

著者 (5件)： NISHIDA Shota (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  LIANG Jianbo (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  MORIMOTO Masashi (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  ARAI Manabu (New Japan Radio Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 778/780  号： Pt.2  ページ： 718-721  発行年： 2014年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 雰囲気温度 ,  表面活性化接合 ,  SAB ,  Si ,  SiC ,  I-V特性