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J-GLOBAL ID：201402296988853028   整理番号：14A0465165

酸化ガリウム電力素子の開発

Development of gallium oxide power devices

著者 (6件)： HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  SASAKI Kohei (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  SASAKI Kohei (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  MASUI Takekazu (Koha Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Tamura Corp., Saitama, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 211  号： 1  ページ： 21-26  発行年： 2014年01月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCやGaNなどのような広いバンドギャップを持つ半導体電力素子は,Siを使った素子よりも高い破壊電圧や損失の少ない素子を実現できる。しかしながら,SiCやGaNでは,高品質で大きな結晶を作成することが難しく,大量生産には向いていない。ワイドバンドギャップ(4.7~4.9eV)を持つ新しい酸化物半導体,酸化ガリウム(Ga₂O₃)は,低コストで大きな単結晶を大量生産することが可能で,超高電圧電力素子に理想的な物質である。本研究では,オゾン分子ビームエピタクシー法を使ってn型Ga₂O₃薄膜を作成した。さらに,これを用いた金属-半導体トランジスタ(MESFET)とSchottky障壁ダイオード(SBD)を作製した。MESFETは,破壊電圧,漏れ電流オンオフ電流比などに優れた特性を示した。また,SBDはほぼ1の理想因子,高い逆電圧などの優れた特性を示すことがわかった。

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  *酸化ガリウム ,  *半導体素子 ,  MESFET ,  化合物半導体 ,  MBE成長 ,  Schottky障壁ダイオード
準シソーラス用語： 酸化物半導体 ,  *電力素子 ,  分子ビームエピタクシー

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化ガリウム ,  電力素子 ,  開発