特許
J-GLOBAL ID：201403063181095439

シリコンウェーハ中の原子空孔濃度の絶対値の決定方法

発明者：
後藤 輝孝

後藤 輝孝 について

, 
根本 祐一

根本 祐一 について

, 
金田 寛

金田 寛 について

, 
赤津 光洋

赤津 光洋 について

, 
三本 啓輔

三本 啓輔 について

, 
鹿島 一日兒

鹿島 一日兒 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 新潟大学

国立大学法人 新潟大学 について


代理人 (2件)： 牛木 護 ,  高橋 知之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-232353
公開番号（公開出願番号）：特開2014-168043
出願日： 2013年11月08日
公開日（公表日）： 2014年09月11日
要約：
【課題】シリコンウェーハ中の原子空孔濃度の絶対値を決定するための新たな方法を提供する。【解決手段】シリコン試料の弾性定数の低温ソフト化量ΔC44/C44を測定する測定工程と、測定工程で測定された低温ソフト化量ΔC44/C44に基いてシリコンウェーハ中の原子空孔濃度Nの絶対値を決定する決定工程とを備えた。決定工程において、低温ソフト化量ΔC44/C44=1×10-4に対して原子空孔濃度N=(1.5±0.2)×1013/cm3が相当することに基いて原子空孔濃度Nを決定する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
シリコン試料の弾性定数の低温ソフト化量ΔC44/C44を測定する測定工程と、この測定工程で測定された前記低温ソフト化量ΔC44/C44に基いてシリコンウェーハ中の原子空孔濃度Nの絶対値を決定する決定工程とを備えたことを特徴とするシリコンウェーハ中の原子空孔濃度の絶対値の決定方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ,  G01N 29/00
FI (2件)：
H01L21/66 N ,  G01N29/18
Fターム (24件)：
2G047AA08 ,  2G047AB04 ,  2G047AC10 ,  2G047AD07 ,  2G047AD20 ,  2G047BA01 ,  2G047BB01 ,  2G047BB04 ,  2G047BC02 ,  2G047BC15 ,  2G047BC20 ,  2G047CB02 ,  2G047EA08 ,  2G047GF06 ,  2G047GG29 ,  2G047GG33 ,  2G047GJ28 ,  4M106AA01 ,  4M106BA20 ,  4M106CA70 ,  4M106CB19 ,  4M106DH20 ,  4M106DH45 ,  4M106DJ20
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM