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J-GLOBAL ID：201502221093811484   整理番号：15A0921830

機能性単結晶の最近の進展 酸化ガリウム単結晶の光・電子デバイス応用

Optical and Electrical Device Application of Gallium Oxide Single Crystal

著者 (14件)： 倉又朗人 (タムラ製作所) ,  飯塚和幸 (タムラ製作所) ,  佐々木公平 (タムラ製作所) ,  輿公祥 (タムラ製作所) ,  増井建和 (タムラ製作所) ,  森島嘉克 (タムラ製作所) ,  後藤健 (タムラ製作所) ,  熊谷義直 (東京農工大) ,  村上尚 (東京農工大) ,  纐纈明伯 (東京農工大) ,  WONG Man Hoi (情報通信研究機構) ,  上村崇史 (情報通信研究機構) ,  東脇正高 (情報通信研究機構) ,  山腰茂伸 (タムラ製作所)
資料名： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
巻： 42  号： 2  ページ： 130-140  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： F0452C  ISSN： 2188-7268  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 単結晶育成から始め,パワーデバイス特性に至るまでの,酸化ガリウムに関する技術の紹介。β-Ga₂O₃の単結晶バルクおよび基板育成とその結晶性,酸化ガリウム基板にMOCVD成長させたGaNエピ膜とLED応用およびその特性について述べ,次いで,パワーデバイス応用としてのβ-Ga₂O₃のMBE成長およびハライド気相(HVPE)成長の成長技術とドーピングの現状,そしてショットキーバリアダイオードおよびMOSFETの試作結果を報告している。特に成長技術に関して詳細に述べている。

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  *結晶成長 ,  MOCVD ,  *窒化ガリウム ,  *発光ダイオード ,  半導体素子 ,  MBE成長 ,  *エピタクシー ,  ドーピング ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *MOSFET ,  結晶度 ,  寿命 ,  成長速度 ,  気相成長 ,  基板 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *HVPE【薄膜成長】 ,  方位依存性

分類 (6件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  発光素子  (NC03082G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (40件)：

• H.H. Tippins: Phys. Rev., 140 (1965) A316
• N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, and H. Kawazoe: Appl. Phys. Lett., 71 (1997) 933
• T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, S. Sasaki, T. Masui, and T. Honda: Appl. Phys. Lett., 103 (2013) 041910
• R. Roy, V.G. Hill, and E.F Osborn: J. Am. Chem. Soc., 74 (1952) 719
• E.G. Villora, K. Shimamura, Y. Yoshikawa, T. Ujiie, and K. Aoki: Appl. Phys. Lett., 92 (2008) 202120

タイトルに関連する用語 (6件)： 機能性単結晶 ,  進展 ,  酸化ガリウム ,  単結晶 ,  電子デバイス ,  応用