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J-GLOBAL ID：201502223900024639   整理番号：15A0533124

p-Si/n-4H-SiC接合の電気特性とSiのアクセプタ濃度間の相関

Correlation between the electrical properties of p-Si/n-4H-SiC junctions and concentrations of acceptors in Si

著者 (5件)： NISHIDA Shota (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  LIANG Jianbo (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  HAYASHI Tomohiro (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  ARAI Manabu (New Japan Radio Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (Osaka City Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 3  ページ： 030210.1-030210.4  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面活性化ボンディング(SAB)により,p⁺-,p-,p^--Si/n-4H-SiC接合を製造した。この接合の,上昇させた周囲温度における電流-電圧(I-V)特性,種々の周波数におけるキャパシタンス-電圧(C-V)特性,室温でのキャパシタンス-周波数(C-f)特性の測定により電気的性質を研究した。逆バイアス電流の活性化エネルギーとC-V特性の半値幅電圧はそれぞれ0.97~1.01eVと0.83~0.84eVであり,Si基板のアクセプタ濃度には依存しなかった。C-f特性から推定した緩和時間は,それぞれp-Si/n-4H-SiCとp^--Si/n-4H-SiC接合に対して0.8と1.5μsであった。これらの結果は,SABにより作成されたSi/4H-SiC界面で生じるフェルミレベルのピンニングによるものと説明できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  P型半導体 ,  *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  半導体薄膜 ,  *アクセプタ ,  ボンディング【IC】 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  *電気特性 ,  電流 ,  活性化エネルギー ,  緩和時間 ,  Fermi準位 ,  ピン止め ,  *濃度 ,  *相関
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  表面活性化ボンディング ,  容量周波数特性 ,  逆バイアス電流 ,  アクセプタ濃度

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

引用文献 (26件)：

• H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
• M. Yoshimoto, R. Araki, T. Kurami, and H. Kinoshita, ECS Trans. 50 [7], 61 (2013).
• Web [http ://www.mitsubishielectric.com/news/2013/0509-a.html].
• T. Hayashi, Y. Shimoida, H. Tanaka, S. Yamagami, S. Tanimoto, and M. Hoshi, Mater. Sci. Forum 527-529, 1453 (2006).
• K.-H. Wu, Y.-K. Fang, J.-H. Zhou, and J.-J. Ho, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 5151 (1997).

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  4H-SiC ,  電気特性 ,  アクセプタ ,  相関