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J-GLOBAL ID：201502241718361385   整理番号：15A0533125

表面活性化ボンディングにより製造されたSi/GaAsヘテロ接合の界面抵抗の研究

Investigation on the interface resistance of Si/GaAs heterojunctions fabricated by surface-activated bonding

著者 (5件)： LIANG Jianbo (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  CHAI Li (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  NISHIDA Shota (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  MORIMOTO Masashi (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (Osaka City Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 3  ページ： 030211.1-030211.5  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面活性ボンディング(SAB)により作成された,p-GaAs/n⁺-Si,p⁺-Si/n-GaAs,p⁺-GaAs/n⁺-Si,p⁺-Si/n⁺-GaAs,n⁺-Si/n⁺-GaAs,p⁺-Si/p⁺-GaAs接合の電気的特性を研究した。アニールをしていないボンディング部分には厚さ3nmのアモロファス層が見いだされた。p⁺-GaAs/n⁺-Si,p⁺-Si/n⁺-GaAs,n⁺-Si/n⁺-GaAs,p⁺-Si/p⁺-GaAs接合の電流-電圧(I-V)特性は,優れた線形性を示した。n⁺-Si/n⁺-GaAs接合の界面抵抗は,0.112Ω・cm²であり,すべてのサンプル中の最小値であった。抵抗はアニール温度の増加とともに減少し,温度400°Cでアニール後は0.074Ω・cm²となった。これらの結果から,タンデム接続の太陽電池の製造におけるサブセルの接続に対してはn⁺-Si/n⁺-GaAs接合が適していることが明らかとなった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ボンディング【IC】 ,  *ケイ素 ,  *ヒ化ガリウム ,  ヘテロ接合 ,  化合物半導体 ,  *抵抗 ,  電気的性質 ,  PN接合 ,  非晶質半導体 ,  電流電圧特性 ,  太陽電池
準シソーラス用語： *表面活性化ボンディング ,  *界面抵抗 ,  電気的特性 ,  タンデム太陽電池

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

引用文献 (35件)：

• R. R. King, D. C. Law, K. M. Edmondson, C. M. Fetzer, G. S. Kinsey, H. Yoon, R. A. Sherif, and N. H. Karam, Appl. Phys. Lett. 90, 183516 (2007).
• H. Sugiura, C. Amano, A. Yamamoto, and M. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 269 (1988).
• J. M. Olson, S. R. Kurtz, A. E. Kibbler, and P. Faine, Appl. Phys. Lett 56, 623 (1990).
• K. A. Bertness, S. R. Kurtz, D. J. Friedman, A. E. Kibbler, C. Kramer, and J. M. Olson, Appl. Phys. Lett. 65, 989 (1994).
• T. Takamoto, M. Kaneiwa, M. Imaizumi, and M. Yamaguchi, Prog. Photovoltaics 13, 495 (2005).

タイトルに関連する用語 (7件)： 表面活性化 ,  ボンディング ,  Si ,  GaAs ,  ヘテロ接合 ,  界面抵抗 ,  研究