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J-GLOBAL ID：201502264014162123   整理番号：15A0533126

表面活性化ボンディングによるSi/Si接合の電気特性のアニール効果

Effects of annealing on electrical properties of Si/Si junctions by surface-activated bonding

著者 (4件)： MORIMOTO Masashi (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  LIANG Jianbo (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  NISHIDA Shota (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (Osaka City Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 3  ページ： 030212.1-030212.5  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透過電子顕微鏡(TEM)観察と電流-電圧(I-V)測定により,表面活性ボンディング(SAB)ベースのSi/Si接合のアニール効果を研究した。ボンディング界面でアモルファス状の層が観察され,アニールにより再結晶化した。異なった温度でアニールしたSi/Si界面でのポテンシャルバリヤの高さを,種々の周囲温度で測定したI-V特性から導出した。p-Si/p-Si接合に対して,バリヤの高さはアニール温度が200~400°Cの範囲で増加するにしたがって増加し,400~1000°Cでは減少した。n-Si/n-Siに対しては,200~600°Cのアニール温度で温度増加とともにバリヤ高さは増加し,600~1000°Cでは減少した。電荷中性準位(CNL)モデルを用いて,各アニール温度でCNLのエネルギーE_CNLと界面状態の濃度D_itを推定した。D_itは,アニール温度が400~1000°Cに増加するとともに減少した。E_CNLは,報告されている値よりも大きかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ボンディング【IC】 ,  *ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *熱処理 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  再結晶 ,  *半導体接合 ,  非晶質半導体 ,  高さ ,  P型半導体 ,  温度依存性 ,  モデル ,  *電気特性
準シソーラス用語： *表面活性化ボンディング ,  透過電子顕微鏡 ,  *ホモ接合 ,  障壁高さ ,  電荷中性準位モデル

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

引用文献 (24件)：

• O. Moutanabbir and U. Göscele, Annu. Rev. Mater. Res. 40, 469 (2010).
• Y. C. Zhou, Z. H. Zhu, D. Crouse, and Y. H. Lo, Appl. Phys. Lett. 73, 2337 (1998).
• K. Tanabe, K. Watanabe, and Y. Arakawa, Sci. Rep. 2, 349 (2012).
• H. Wada, Y. Ogawa, and T. Kamijoh, Appl. Phys. Lett 62, 738 (1993).
• H. Wada and T. Kamijoh, Jpn. J. Appl. Phys. 37, 1383 (1998).

タイトルに関連する用語 (5件)： 表面活性化 ,  ボンディング ,  Si ,  電気特性 ,  アニール効果