特許

J-GLOBAL ID：201503065827680793

有機半導体組成物

発明者： 瀧宮 和男 ,  桑原 博一 ,  由井 樹人 ,  池田 征明
出願人/特許権者： 日本化薬株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人浅村特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-170879
公開番号（公開出願番号）：特開2014-013920
特許番号：特許第5715664号
出願日： 2013年08月21日
公開日（公表日）： 2014年01月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 有機半導体材料および高分子材料を含む組成物であって、 該有機半導体材料が下記一般式(1)

IPC (8件)：

H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/40 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  C09D 11/00 ( 201 4.01) ,  C07D 495/04 ( 200 6.01) ,  C07D 517/04 ( 200 6.01)

FI (11件)：

H01L 29/28 250 H ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 220 A ,  H01L 29/28 310 L ,  H01L 29/28 310 J ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 627 F ,  C09D 11/00 ,  C07D 495/04 101 ,  C07D 517/04

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 有機装置の電気性質を向上する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-210177   出願人：財団法人工業技術研究院
• 半導層および絶縁層を形成するために混合溶液を使ってボトムゲート型薄膜トランジスタを形成する改良された方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-178743   出願人：パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド
• 電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-547243   出願人：アベシア・リミテッド

審査官引用 (3件)

• 有機装置の電気性質を向上する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-210177   出願人：財団法人工業技術研究院
• 半導層および絶縁層を形成するために混合溶液を使ってボトムゲート型薄膜トランジスタを形成する改良された方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-178743   出願人：パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド
• 電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-547243   出願人：アベシア・リミテッド