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文献
J-GLOBAL ID:201602211905772161   整理番号:16A0249537

酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術

State-of-the-art technology on gallium oxide power devices
著者 (17件):
資料名:
巻: 115  号: 402(ED2015 112-120)  ページ: 13-18  発行年: 2016年01月13日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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酸化ガリウム(Ga2O3)は,パワーデバイス用途に適した優れた物性を有する酸化物半導体である。また,大口径・高品質な基板を,簡便・安価に製造可能という産業上の大きな魅力も合わせ持つ。これらの特徴から,SiC,GaNに続く新ワイドギャップ半導体として近年注目を集めつつある。本稿では,最近のGa2O3パワーデバイス開発における主要な進捗である,フィールドプレート付き横型Ga2O3MOSFET,およびハライド気相成長法により形成したドリフト層を有する縦型Ga2O3ショットキーバリアダイオードについて紹介する。(著者抄録)
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