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J-GLOBAL ID：201602243491144159   整理番号：16A1374941

放電発生メカニズムに基づく真空中の衝撃表面フラッシュオーバの制御と抑制

Control and suppression of impulse surface flashover in vacuum based on discharge development mechanisms

著者 (5件)： Nakano Yusuke (Dept. of Electr. Eng. & Comput. Sci., Nagoya Univ., Nagoya, Japan) ,  Kojima Hiroki (Dept. of Electr. Eng. & Comput. Sci., Nagoya Univ., Nagoya, Japan) ,  Iitsuka Shinsuke (Hitachi, Ltd., Hitachi, Japan) ,  Tsuchiya Kenji (Hitachi, Ltd., Hitachi, Japan) ,  Hayakawa Naoki (EcoTopia Sci. Inst., Nagoya Univ., Nagoya, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation  (IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation)
巻： 23  号： 1  ページ： 35-42  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0578A  ISSN： 1070-9878  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空中の固体絶縁体上の表面放電は,真空回路遮断器(VCB)および真空遮断器(VI)の開発にとって重要な問題の1つであった。高電圧VCBおよびVIの開発には,表面フラッシュオーバの制御と抑制技術を必要とした。この検討の目的は,フラッシュオーバ開発の物理的メカニズムに基づいて,表面フラッシュオーバを抑制することであった。陰極からの爆発的電子放出(EEE)をはじめとして,真空中の衝撃表面フラッシュオーバは,陽極に対して表面に沿った二次電子放出なだれ(SEEA)の発達と同様に,絶縁体の過渡的な電荷の形成と共に進行した。陰極からのEEE電流とSEEAの発達を低減するために,アルミナセラミックスの厚さや陰極棒のチップ半径などの電極形状を変更し,陰極棒の背面電極として平面電極を設置した。その結果,EEEによる過渡充電の電界緩和効果によりEEE電流を減少させて,そして,平面電極の垂直電界によりSEEAも抑制した。陰極背面電極を用いてフラッシュオーバを抑制すると,平面電極領域の端部のアルミナ誘電体の過渡電荷量が減少した。以上の結果から,それは,絶縁体の垂直電界を大きくするための,真空での表面フラッシュオーバの制御と抑制に有効な技術であると考えることができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *放電 ,  *発生生理 ,  衝撃 ,  *フラッシュオーバ ,  真空遮断器 ,  遮断器 ,  絶縁材料 ,  電子放出 ,  技術 ,  電極 ,  絶縁体
準シソーラス用語： *発生メカニズム ,  回路遮断器 ,  制御技術 ,  平面電極 ,  背面電極

分類 (1件)： 放電一般  (BJ03010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 放電 ,  発生メカニズム ,  真空 ,  衝撃 ,  フラッシュオーバ