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J-GLOBAL ID：201602269897817682   整理番号：16A1004049

厚銅多層基板を用いたSiC-MOSFETインバータの開発

著者 (4件)： 石川光亮 (北大) ,  小笠原悟司 (北大) ,  竹本真紹 (北大) ,  折川幸司 (北大)
資料名： 電気学会産業応用部門大会(CD-ROM)  (Proceedings of the IEE Japan Industry Applications Society Conference (CD-ROM))
巻： 2016  ページ： ROMBUNNO.1-12  発行年： 2016年 
JST資料番号： L2177B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *プリント基板 ,  *インバータ ,  速度 ,  周波数特性 ,  *インダクタンス ,  特性 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *SiC-MOSFET ,  スイッチング速度 ,  スイッチング特性 ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  *厚銅多層基板 ,  *多層基板 ,  *配線インダクタンス

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電力変換器  (NB08030B) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 厚 ,  銅 ,  多層基板 ,  SiC ,  MOSFET ,  インバータ ,  開発