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J-GLOBAL ID：201702215649379902   整理番号：17A1374533

光電気化学酸化を利用した触媒表面基準エッチング法による窒化ガリウムの高能率平坦化

著者 (6件)： 木田英香 (大阪大 大学院) ,  藤大雪 (大阪大 大学院) ,  中平雄太 (大阪大 大学院) ,  松山智至 (大阪大 大学院) ,  佐野泰久 (大阪大 大学院) ,  山内和人 (大阪大 大学院)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2017  号： 秋季(CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.A15  発行年： 2017年09月05日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 我々は,窒化ガリウム(GaN)基板を平坦化する革新的な手法として触媒表面基準エッチング(Catalyst-Referred Etching;CARE)法の開発,研究を行っている。現在までに研磨定盤にPt触媒,加工液に純水を用いて,原子レベルに平坦な表面が作製可能となっているが,ステップフロー型であるのでCARE法は加工速度が不十分である。そこで本研究では,GaN基板の高能率平坦化を目指し,光電気化学酸化を援用したCARE法(PEC-CARE加工)を検討することで,加工速度は800nm/hにまで向上した。(著者抄録)

シソーラス用語： 光電気化学 ,  酸化 ,  *エッチング ,  窒化ガリウム ,  平坦性 ,  定盤 ,  加工速度 ,  化学研磨 ,  純水 ,  白金触媒

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の表面処理  (WC08070F)

引用文献 (7件)：

• H. Hara et al., J. Electron. Mater., 35 (2006) L11.
• J. Murata et al., J. Electrochem. Soc., 159 (2012) H417.
• T. Okamoto et al., J. Nanosci. Nanotechnol., 11 (2011) 2928.
• G. Nowak et al., J. Cryst. Growth, 222 (2001) 735.
• 木谷直隆他, 2015年度精密工学会春季大会学術講演会予稿集

タイトルに関連する用語 (7件)： 光電気化学 ,  酸化 ,  触媒 ,  エッチング ,  窒化ガリウム ,  高能率 ,  平坦化