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J-GLOBAL ID：201902228871815458   整理番号：19A2620456

大面積CVD成膜単層MoS₂の高発光化

著者 (10件)： 山田悠貴 (大阪府大 工) ,  青木佑樹 (大阪府大 工) ,  福井暁人 (大阪府大 工) ,  吉村武 (大阪府大 工) ,  芦田淳 (大阪府大 工) ,  藤村紀文 (大阪府大 工) ,  篠北啓介 (京大 エネ研) ,  松田一成 (京大 エネ研) ,  桐谷乃輔 (大阪府大 工) ,  桐谷乃輔 (JST-さきがけ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.21p-E201-1  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】単層のMoS2は3原子分の厚み(約0.7 nm)を有し、直接遷移型の半導体であることから光電子デバイスへの応用展開が期待されている。化学気相成長法(CVD法)による大面積かつ高品質を目指したMoS2薄膜の作製が盛んに行われている...【本文一部表示】

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  化学蒸着 ,  半導体薄膜 ,  量子収量 ,  紫外線照射 ,  *光ルミネセンス ,  放射強度 ,  単一層
準シソーラス用語： 発光強度

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 大面積 ,  CVD ,  成膜 ,  単層 ,  MoS2