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J-GLOBAL ID：201902232691308716   整理番号：19A2897643

スイッチングノイズを抑制する配線方法 スイッチング電源のノイズ対策の基本

著者 (1件)： 梅谷和弘 (岡山大)
資料名： 電磁環境工学情報EMC  (月刊EMC)
巻： 32  号： 8  ページ： 69-85  発行年： 2019年12月05日 
JST資料番号： L0077A  ISSN： 0916-2275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・スイッチングノイズやそれに伴って発生する問題のメカニズムには,基板配線に寄生するインダクタンスが大きくかかわっており,問題解決には適切な基板配線の設計が必要不可欠。
・ノイズ対策のための基板配線に関する基本的な考え方,およびそれに基づく具体的な配線方法の指針を解説。
・スイッチングノイズに伴う代表的な問題として,スイッチングサージ,伝導ノイズ,半導体スイッチの誤点弧といった問題にターゲットを絞り,これらの問題の発生メカニズムおよび対策のための配線方法を解説。

シソーラス用語： 雑音 ,  *雑音発生防止 ,  *スイッチングレギュレータ ,  スイッチング損失 ,  電気サージ ,  雑音発生 ,  配線設計 ,  ブリッジ回路 ,  チョッパ回路 ,  ゲート回路 ,  インダクタンス ,  平滑フィルタ ,  接地
準シソーラス用語： スイッチングノイズ ,  ハーフブリッジ回路 ,  降圧チョッパ回路 ,  ゲート駆動回路 ,  寄生インダクタンス ,  平滑コンデンサ

分類 (2件)： 電源回路  (NC05060Q) ,  雑音一般  (ND04010J)

引用文献 (19件)：

• 今井孝二ほか「パワーエレクトロニクスハンドブック」R&Dプランニング,pp.160-168,2002.
• L.Yu, G.Dunne, K. Matocha, K.Cheung, J. Suehle, K. Sheng, ′′Reliability issues of SiC MOSFETs: A technology for high temperature environments,′′ IEEE Transactions on Device Materials Reliability, vol. 10, no. 4, pp.418-426, Dec.2010.
• J. Millán, P. Godignon, X. Perpiñà, A. P.Tomás, J. Rebollo, ′′Survey of wide band gap power semiconductor devices,′′ IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 29, no. 5, pp. 2155-2163, May 2014.
• K.Li, P.Evans, M. Johnson, ′′SiC/GaN power semiconductor devices: a theoretical comparison and experimental evaluation under different switching conditions,′′ IET Electrical Systems in Transportation, vol.8, no.1, pp.3-11, Feb. 2018.
• トランジスタ技術SPECIAL「パワー・エレクトロニクス回路の設計」CQ出版社,pp.56-57,110-111,Apr.2007.

タイトルに関連する用語 (4件)： スイッチングノイズ ,  スイッチング電源 ,  ノイズ ,  対策