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J-GLOBAL ID：201902286154225685   整理番号：19A2740267

昨日今日そして明日のケイ素化学 σ電子受容性シラン,ゲルマン,スタンナン配位子を鍵とする切断反応の開発

著者 (1件)： 亀尾肇 (大阪府大)
資料名： ケイ素化学協会誌
号： 36  ページ： 24-29  発行年： 2019年11月01日 
JST資料番号： L3693A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・有機ケイ素化合物のケイ素配位子の配位様式としては,シリル,シリレン,σシランなどが代表的で,四価シリル配位子はX型配位子に,二電子を中心金属に供与する二価シリレンやσシラン配位子はL型配位子に分類。
・本稿では,σ電子受容性シラン,ゲルマン,スタンナン配位子のσ電子受容性能を評価。
・二電子をσ結合を介して受容するZ型シラン配位子も存在,そこで,三つのホスフィン部分を有するZ型フルオロシラン,ゲルマン,スタナン配位子を有する11族遷移金属(M=Cu,Ag,Au)錯体の合成を検討。
・イリジウムヒドリド錯体による,C-F結合の切断,σ結合メタセシスを経るC-F結合の切断とそのGibbsエネルギー変化,電子移動について解説。

シソーラス用語： *シラン ,  *シラン誘導体 ,  *ゲルマン ,  ゲルマン誘導体 ,  スタンナン ,  スタンナン誘導体 ,  *配位子効果 ,  配位子 ,  開裂反応 ,  アクセプタ ,  ホスフィン錯体 ,  ヒドリド錯体 ,  イリジウム錯体 ,  カルボニル錯体 ,  クロロ錯体 ,  フルオロ錯体 ,  有機ケイ素化合物 ,  有機スズ化合物 ,  メタセシス ,  SN2反応 ,  スズ錯体 ,  芳香族化合物 ,  有機リン化合物
準シソーラス用語： シリル錯体 ,  電子受容体

分類 (2件)： 有機けい素化合物  (CF08030C) ,  第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y)

物質索引 (10件)： トリフェニルホスフィン ,  フルオロトリス[2-(ジフェニルホスフィノ)フェニル]シラン ,  フルオロトリス[2-(ジフェニルホスフィノ)フェニル]ゲルマン ,  フルオロトリス[2-(ジフェニルホスフィノ)フェニル]スタンナン ,  1,1′-(ジフルオロシランジイル)ビス(2-(ジフェニルホスフィノ)ベンゼン) ,  ビス[2-(ジフェニルホスフィノ)フェニル]ジクロロシラン ,  ジフルオロビス[2-(ジフェニルホスフィノ)フェニル]ゲルマン ,  フェニルフルオロビス[2-(ジフェニルホスフィノ)フェニル]ゲルマン ,  フェニルフルオロビス[2-(ジフェニルホスフィノ)フェニル]シラン ,  クロロトリス[2-(ジフェニルホスフィノ)フェニル]スタンナン

引用文献 (12件)：

• Amgoune, A.; Bourissou, D. Chem. Commun. 2011, 47, 859.
• Kameo, H.; Nakazawa, H. Chem. Rec. 2017, 17, 268.
• Grobe, J.; Krummen, N.; Wehmschulte, R. W.; Krebs, B.; Laege, M. Z. Anorg. Allg. Chem. 1994, 620, 1645.
• Gualco, P.; Lim, T. P.; Sircoglou, M.; Mercy, M.; Ladeira, S.; Bouhadir, G.; Perez, L. M.; Amgoune, A.; Maron, L.; Gabbaï, F. P.; Bourissou, D. Angew. Chem. Int. Ed. 2009, 48, 9882.
• Wagler, J.; Brendler, E. Angew. Chem. Int. Ed. 2010, 49, 624.

タイトルに関連する用語 (8件)： ケイ素化学 ,  受容性 ,  シラン ,  ゲルマン ,  スタンナン ,  配位子 ,  鍵 ,  開発