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J-GLOBAL ID：201902286535076419   整理番号：19A1375190

HfO₂系強誘電体スパッタ薄膜の成長時の酸素分圧が電気特性におよぼす影響

著者 (6件)： 佐保勇樹 (大阪府大 工) ,  高田賢志 (大阪府大 工) ,  桐谷乃輔 (大阪府大 工) ,  吉村武 (大阪府大 工) ,  芦田淳 (大阪府大 工) ,  藤村紀文 (大阪府大 工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10p-W631-2  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [はじめに]HfO2基強誘電体薄膜の強誘電相はドーピングや膜厚の効果に加え、適切な量の酸素欠損を導入することによって強誘電相が安定化することが知られている[1,2]。そのため、スパッタ法を用いて作製された強誘電性HfO2の多くは無酸素下で成...【本文一部表示】

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *スパッタ蒸着 ,  強誘電体 ,  *誘電体薄膜 ,  分圧 ,  *圧力効果 ,  *酸素 ,  マグネトロンスパッタリング ,  アルゴン ,  基板 ,  ケイ素 ,  単斜晶系 ,  準安定相 ,  X線回折 ,  *容量電圧特性 ,  *漏れ電流 ,  結晶構造 ,  誘電性 ,  界面 ,  電気特性
準シソーラス用語： 酸素分圧 ,  すれすれ入斜 ,  誘電特性

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： HfO2 ,  強誘電体 ,  スパッタ ,  薄膜 ,  成長 ,  酸素分圧 ,  電気特性