特許

J-GLOBAL ID：201903015347426997

半導体素子及びその製造方法

発明者： 佐々木 公平 ,  東脇 正高
出願人/特許権者： 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構
代理人 (1件)： 特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-127962
公開番号（公開出願番号）：特開2015-002343
特許番号：特許第6543869号
出願日： 2013年06月18日
公開日（公表日）： 2015年01月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 電流経路となる、結晶質のGa2O3からなる半導体層と、 前記半導体層の表面の一部を覆う酸化物絶縁膜と、 前記半導体層の前記表面上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記半導体層の前記表面上の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成されたゲート電極とを含む電極と、 を有し、 前記酸化物絶縁膜は、前記半導体層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含み、 前記酸化物絶縁膜は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成され、 前記酸化物絶縁膜は、前記電極間のリーク電流を抑制する、 半導体素子。

IPC (9件)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 21/337 ( 200 6.01) ,  H01L 29/808 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01)

FI (15件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 V ,  H01L 21/316 X ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 615 ,  H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 658 F

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-282731   出願人：パナソニック株式会社