特許

J-GLOBAL ID：201903020872650788

炭化珪素基板、炭化珪素基板の製造方法、および炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： 古庄 智明 ,  田中 貴規 ,  黒岩 丈晴 ,  宇治原 徹 ,  原田 俊太 ,  村山 健太
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018005948
公開番号（公開出願番号）：WO2018-180013
出願日： 2018年02月20日
公開日（公表日）： 2018年10月04日
要約：

本発明は、プロセス装置を汚染することのない低欠陥密度な炭化珪素基板と、当該炭化珪素基板を用いた炭化珪素半導体装置の提供を目的とする。本発明に係る炭化珪素基板(10)は、基板内側部(11)と、基板内側部(11)を囲む基板外側部(12)と、を備える炭化珪素基板(10)であって、基板内側部(11)の非ドーパント金属不純物濃度は1×1016cm-3以上であり、基板外側部(12)のうち少なくとも表面側の領域は、非ドーパント金属不純物濃度が1×1016cm-3未満の基板表面領域(13)である。

請求項（抜粋）：

基板内側部(11)と、 前記基板内側部(11)を囲む基板外側部(12)と、を備える炭化珪素基板(10)であって、 前記基板内側部(11)の非ドーパント金属不純物濃度は1×1016cm-3以上であり、 前記基板外側部(12)のうち少なくとも表面側の領域は、非ドーパント金属不純物濃度が1×1016cm-3未満の基板表面領域である、 炭化珪素基板(10)。

IPC (7件)：

C30B 29/36 ,  C30B 25/20 ,  C30B 19/04 ,  H01L 21/208 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/329

FI (7件)：

C30B29/36 A ,  C30B25/20 ,  C30B19/04 ,  H01L21/208 D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 A

Fターム (24件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077DB01 ,  4G077EB10 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA71 ,  4G077TA04 ,  4G077TK13 ,  5F053AA03 ,  5F053BB04 ,  5F053BB15 ,  5F053DD02 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053RR20