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J-GLOBAL ID：202002240318818369   整理番号：20A2237608

スパッタ法によるSi基板上へのBiFeO₃薄膜のエピタキシャル成長 III

Epitaxial growth of BiFeO₃ films on Si substrates by sputtering method: III

著者 (4件)： 菊地理沙 (大阪府大 工) ,  岡本直樹 (大阪府大 工) ,  吉村武 (大阪府大 工) ,  藤村紀文 (大阪府大 工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13a-PA2-7  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】BiFeO3薄膜は様々な魅力的な物性を有していることから幅広く研究されている。我々はBiFeO3薄膜の圧電MEMS応用に着目してきた。圧電効果の重要な指標のひとつである電気機械結合係数(k2)は比誘電率に反比例すること、一般的に...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  *エピタクシー ,  最適化 ,  *薄膜 ,  誘電率 ,  白金 ,  圧電気 ,  *薄膜成長 ,  *スパッタ蒸着 ,  バッファ層 ,  製膜 ,  MEMS ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  シード層 ,  薄膜形成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタ法 ,  Si基板 ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長