文献

J-GLOBAL ID：202002292430766979   整理番号：20A2237407

遷移金属内包シリコンケージクラスター薄膜の電気伝導特性

Electrical Conductivity of Metal-Encapsulating Si₁₆ Cage Nanocluster Thin Films

著者 (7件)： 横山高穂 (慶応大 理工) ,  千葉竜弥 (慶応大 理工) ,  平田直之 (慶応大 理工) ,  角山寛規 (慶応大 理工) ,  渋田昌弘 (慶応大 理工) ,  渋田昌弘 (Philipps大) ,  中嶋敦 (慶応大 理工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13a-A405-8  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 原子が数個から数百個凝集したナノクラスター(NC)は、バルク物質とは異なる特異な電子・幾何構造を有するナノ物質である。このうち、金属原子1個を内包したシリコンケージNC(M@Si16;Fig.1)は、16個のケイ素原子のかご構造内に内包さ...【本文一部表示】

シソーラス用語： 凝集 ,  太陽電池 ,  電圧 ,  *電気伝導 ,  電子構造 ,  電流 ,  電気伝導率 ,  *薄膜 ,  *金 ,  ホッピング伝導 ,  蒸着 ,  ナノ構造 ,  *導電性 ,  ナノクラスタ
準シソーラス用語： ナノデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 遷移金属 ,  内包 ,  薄膜 ,  電気伝導特性