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J-GLOBAL ID：202102240011770560   整理番号：21A0697034

Si直上Y:HfO₂エピタキシャル薄膜の界面誘電特性

Interfacial dielectric properties of Y:HfO₂ epitaxial thin films directly on Si substrate

著者 (5件)： 佐保勇樹 (大阪府大 工) ,  宝栄周弥 (大阪府大 工) ,  高田賢志 (大阪府大 工) ,  吉村武 (大阪府大 工) ,  藤村紀文 (大阪府大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.10a-Z24-1  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [はじめに]HfO2系強誘電体はドーピングや応力の効果に加え、適量の酸素欠損を導入し直方晶相を安定化させることによって10nm以下の極薄膜においても強誘電性を示し[1]、CMOSプロセスとの適合性も高いことから注目を集めている。しかし、多結...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  *エピタクシー ,  *界面 ,  強誘電体 ,  表面準位 ,  *ケイ素 ,  強誘電性 ,  多結晶 ,  ドーピング ,  *酸化ハフニウム ,  斜方晶系 ,  超薄膜 ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： 酸素分圧 ,  界面層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  直上 ,  HfO2 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  界面 ,  誘電特性