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J-GLOBAL ID：202102244552175196   整理番号：21A1969447

超音波によるリン添加シリコンの原子空孔軌道の観測

Observation of Vacancy Orbital in Phosphorus-Doped Silicon by Ultrasonic Measurements

著者 (5件)： 小日向智仁 (新潟大 大学院) ,  村上ちひろ (新潟大 大学院) ,  佐藤晴耕 (新潟大 大学院) ,  赤津光洋 (新潟大 理) ,  根本祐一 (新潟大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 76  号： 1  ページ： ROMBUNNO.12aH1-9  発行年： 2021年03月24日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： シリコン結晶中の原子空孔周りのダングリングボンドはTd対称の下でa1一重項とt2三重項に分裂する。a1一重項は価電子バンド内に位置し、t2三重項はバンドギャップ中に局在準位を形成する。半導体デバイスに用いられるシリコン結晶中の原子空孔濃度は...【本文一部表示】

シソーラス用語： *空孔欠陥 ,  *ケイ素 ,  超音波 ,  超音波応用計測 ,  リン ,  添加物効果 ,  弾性係数 ,  電子状態 ,  Coulomb相互作用 ,  多重項 ,  磁場効果 ,  電子配置
準シソーラス用語： *原子空孔 ,  磁場依存性

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  その他の音響応用  (BB03100I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 超音波 ,  リン ,  シリコン ,  原子空孔 ,  軌道 ,  観測