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J-GLOBAL ID：202102279587021071   整理番号：21A2094785

強固な結合の切断を鍵とする触媒反応の開発 M→Z(Z型配位子)σ結合を介した求核的活性化

著者 (1件)： 亀尾肇 (大阪府大)
資料名： 化学と工業  (Chemistry & Chemical Industry)
巻： 74  号： 8  ページ： 598-599  発行年： 2021年08月01日 
JST資料番号： F0107A  ISSN： 0022-7684  CODEN： KAKTAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 一般的に配位子とは金属に電子を供与するものであるが,σ結合を介して金属から電子を受容する配位子(Z型配位子)も存在する。近年,このタイプの配位子を活用することで,ユニークな電子構造や幾何構造を有する錯体が創製されるばかりでなく,新しい金属-配位子協同効果の発現により,多様な触媒設計の指針も提供されている。筆者はσ電子受容性配位子として作用する反応基質が求核的に活性化されていることに注目し,新しいタイプの分子変換反応を開発してきた。本稿では,それらの成果について紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *触媒反応 ,  配位子 ,  電荷移動 ,  電荷移動錯体 ,  *アクセプタ ,  *白金錯体 ,  ホスフィン錯体 ,  求核反応 ,  配位結合 ,  *配位子効果 ,  *反応性 ,  フッ化ホウ素 ,  パラジウム錯体 ,  錯体生成 ,  交差カップリング反応 ,  シラン誘導体
準シソーラス用語： BF3 ,  *求核性 ,  電子受容体 ,  配位子-金属電荷移動 ,  Negishiカップリング

分類 (2件)： 白金族元素の錯体  (CE01100E) ,  配位化合物一般  (CE01010G)

物質索引 (3件)： トリシクロヘキシルホスフィン ,  フェニルフルオロビス[2-(ジフェニルホスフィノ)フェニル]シラン ,  ジフェニルビス[2-(ジフェニルホスフィノ)フェニル]シラン

引用文献 (6件)：

• a)A. Amgoune, D. Bourissou, Chem. Commun. 2011, 47, 859; b)Kameo, H. Nakazawa, Chem. Asian. J. 2013, 8, 1720.
• Recent papers: a)H. Kameo, H. Nakazawa, Chem. Rec. 2017, 17, 268; b)H. Kameo, J. Yamamoto, S. Sakaki, H. Nakazawa, H. Matsuzaka, D. Bourissou, Angew. Chem. Int. Ed. 2019, 58, 18783.
• J. Bauer, H. Braunschweig, K. Kraft, K. Radacki, Angew. Chem. Int. Ed. 2011, 50, 10457.
• H. Kameo, S. Sakaki, Chem. Eur. J. 2015, 21, 13588.
• H. Kameo, H. Yamamoto, K. Ikeda, T. Isasa, S. Sakaki, H. Matsuzaka, Y. Garcia-Rodeja, K. Miqueu, D. Bourissou, J. Am. Chem. Soc. 2020, 142, 14039.

タイトルに関連する用語 (7件)： 鍵 ,  触媒反応 ,  開発 ,  配位子 ,  σ結合 ,  核 ,  活性化