特許
J-GLOBAL ID：202103002353131714
薄膜形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-009995
公開番号（公開出願番号）：特開2021-116201
出願日： 2020年01月24日
公開日（公表日）： 2021年08月10日
要約：
【課題】厚さ方向の重なりが少ないカーボンナノチューブ薄膜を形成する。【解決手段】薄膜形成方法は、基板10の表面12にカーボンナノチューブ20および液体を与える工程と、液体を超臨界流体26を用いて乾燥させ、基板10の表面12にカーボンナノチューブ20の薄膜を形成する工程と、を備える。基板10の表面12にカーボンナノチューブ20が分散された分散液22を与える工程と、分散液22を有機溶媒24に置換する工程と、をさらに備えてもよい。有機溶媒24は、アルコールであってもよい。超臨界流体26は、二酸化炭素であってもよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の表面にカーボンナノチューブおよび液体を与える工程と、
前記液体を超臨界流体を用いて乾燥させ、前記基板の表面にカーボンナノチューブの薄膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
C01B 32/168
, C01B 32/159
4G146AA12
, 4G146AB07
, 4G146AC01A
, 4G146AC01B
, 4G146AC19A
, 4G146AD30
, 4G146CB10
, 4G146CB12
, 4G146CB29
, 4G146CB31
