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J-GLOBAL ID：202202244518159801   整理番号：22A0679302

PSpiceダイオードモデルの逆回復電流予測精度評価から見えるターンオン損失予測の課題

Issues in Turn-on Loss Prediction as Seen from the Evaluation of Accuracy of Reverse Recovery Current Prediction of PSpice Diode Model

著者 (4件)： 吉岡雅彦 (岡山大) ,  石原將貴 (岡山大) ,  梅谷和弘 (岡山大) ,  平木英治 (岡山大)
資料名： 電気学会研究会資料(Web)  (Papers of Technical Meeting, IEE Japan (Web))
号： SPC-21-166-179/HCA-21-034-047/VT-21-029-042 半導体電力変換研究会/家事・民生研究会/自動車研究会  ページ： 19-24 (WEB ONLY)  発行年： 2021年12月14日 
JST資料番号： U2358A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SPICEベースの回路シミュレータによりスイッチング損失を予測することは難しい。ターンオン波形の評価により,ボディダイオードの逆回復動作が原因であることを見出した。SPICEモデルは,スイッチングデバイスの逆回復電流が流れ終えてから電圧波形が立ち上がることが,実際の測定における静特性から予測される勾配とは異り,静特性から予測される勾配に近かった。この勾配はダイオードの接合容量によって決定され,スイッチング損失を正確に予測するために考慮されるべき因子である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *SPICEプログラム ,  ダイオードモデル ,  ターンオン ,  *予測 ,  精度 ,  評価 ,  波形 ,  静特性 ,  *回復電圧 ,  *スイッチング損失
準シソーラス用語： *PSpice ,  精度評価 ,  接合容量 ,  *損失予測 ,  電圧波形 ,  予測精度

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (11件)：

• Renesas Electronics Corp : 「パワーMOSFET」, アプリケーションノート, RJJ05G0003-1000, pp13, 41-49 (2009)
• J. Biela, M. Schweizer, S. Waffler and J. W. Kolar, ′′SiC versus Si-evaluation of potentials for performance improvement of inverter and DC-DC converter systems by SiC power semiconductors,′′ IEEE Trans. Ind. Electron., vol. 58, no. 7, pp. 2872-2882 (2011)
• Alex Lidow et al., “GaN Transistor for Efficient Power Conversion”, Wiley, pp.1-2 (2020)
• I. Castro et al., ′′Analytical Switching Loss Model for Superjunction MOSFET with Capacitive Nonlinearities and Displacement Currents for DC-DC Power Converters,′′ IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 31, no. 3, pp. 2485-2495 (2016)
• 堀米毅: 「定番回路シミュレータLTSpice部品モデル作成術」. CQ出版社, pp.18-19, (2013)

タイトルに関連する用語 (7件)： PSpice ,  ダイオードモデル ,  回復 ,  予測精度 ,  評価 ,  ターンオン ,  損失予測