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J-GLOBAL ID：202202269592488120   整理番号：22A1706247

スパッタ法によるSi基板上へのBiFeO₃エピタキシャル膜の作製

Fabrication of BiFeO₃ epitaxial films on Si substrates by magnetron sputtering method

著者 (3件)： 高木昂平 (大阪府大 工) ,  藤村紀文 (大阪府大 工) ,  吉村武 (大阪府大 工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 69th  ページ： ROMBUNNO.23p-P04-4  発行年： 2022年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】近年、IoT社会の実現に向けてエナジーハーベスティング技術が注目されており、簡易な構造で高い変換効率が期待できる圧電振動発電に関する研究が活発に行われている。我々は巨大な自発分極と低い誘電率を有する非鉛強誘電体であるBiFeO3...【本文一部表示】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  強誘電体 ,  薄膜 ,  付着 ,  誘電率 ,  白金 ,  発電 ,  圧電気 ,  *スパッタ蒸着 ,  自発分極 ,  バッファ層 ,  製膜
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  薄膜形成 ,  エネルギーハーベスティング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタ法 ,  Si基板 ,  BiFeO3 ,  エピタキシャル膜 ,  作製