特許
J-GLOBAL ID:202203011517692956

半導体基板、半導体素子、及び半導体基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-135017
公開番号(公開出願番号):特開2019-014639
特許番号:特許第7061747号
出願日: 2017年07月10日
公開日(公表日): 2019年01月31日
請求項(抜粋):
【請求項1】 単結晶Ga2O3系基板と多結晶基板が接合され、 前記単結晶Ga2O3系基板の厚さが前記多結晶基板の厚さよりも薄く、 前記多結晶基板の破壊靱性値が前記単結晶Ga2O3系基板の破壊靱性値よりも高く、前記単結晶Ga2O3系基板の主面が(001)面であり、前記多結晶基板が多結晶SiC基板であり、前記単結晶Ga2O3系基板と前記多結晶基板の接合強度が8.3MPa以上である、 半導体基板。
IPC (7件):
C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  C30B 33/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/02 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)
FI (9件):
C30B 29/16 ,  C30B 33/06 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 29/86 301 D ,  H01L 29/86 301 F ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 652 G ,  H01L 29/78 658 K
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • Ga2O3系半導体素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2015-166425   出願人:株式会社タムラ製作所, 国立研究開発法人情報通信研究機構
  • 半導体基板の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2013-142151   出願人:株式会社豊田自動織機, 株式会社サイコックス, 独立行政法人産業技術総合研究所
審査官引用 (2件)
  • Ga2O3系半導体素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2015-166425   出願人:株式会社タムラ製作所, 国立研究開発法人情報通信研究機構
  • 半導体基板の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2013-142151   出願人:株式会社豊田自動織機, 株式会社サイコックス, 独立行政法人産業技術総合研究所

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