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J-GLOBAL ID：202302269045623622   整理番号：23A0950572

電気自動車用インバータの高電力密度化に向けたGaN-HEMT実装方法の提案

Proposal of GaN-HEMT Mounting Method for High Power Density of Inverters for Electric Vehicles

著者 (4件)： 竹原佑 (岡山大) ,  石原將貴 (岡山大) ,  梅谷和弘 (岡山大) ,  平木英治 (岡山大)
資料名： パワーエレクトロニクス学会誌  (Journal of the Japan Institute of Power Electronics)
巻： 48  ページ： 146  発行年： 2023年03月31日 
JST資料番号： X0926A  ISSN： 1348-8538  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・GaNパワー半導体は,低on抵抗や高速スイッチングという特徴により電力変換機器の高電力密度化への貢献を期待されるが,主要適用範囲は小電力での用途。
・電気自動車(EV)駆動のような大電力の用途では,パワーループインダクタンス(Ld)に発生するスイッチングサージとデバイスからの放熱という2つの課題が存在。
・GaNパワー半導体を用いたEV向け高電力密度インバータの実現に向けて,低Ldと高放熱性能を両立する実装方法を提案し,有効性を確認。
・提案した実装方法を用いた高電力密度インバータの実現可能性を検討するため,作製したインバータの連続動作試験を実施中。

シソーラス用語： *HEMT ,  *エネルギー密度 ,  *インバータ ,  *電気自動車 ,  電力トランジスタ ,  スイッチング ,  オン抵抗 ,  インダクタンス ,  電気サージ ,  熱放射 ,  実装 ,  実現可能性
準シソーラス用語： サージ【電気】 ,  パワー半導体 ,  *高電力密度 ,  *窒化ガリウムHEMT ,  放熱

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電気自動車 ,  インバータ ,  高電力密度 ,  GaN ,  HEMT ,  実装 ,  提案