- 2019 - 2022 回転角制御モアレ積層系2層グラフェンの作製と物性評価
- 2011 - 2014 グラフェンナノ構造形成と構造ー電子物性相関
- 2011 - 2012 ヘテロ基板上の超低転位窒化物半導体ナノエピタキシー
- 2009 - 2011 ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製
- 2009 - 2011 表面電子励起状態および吸着子のダイナミクス
- 2008 - 2010 シリコンカーバイド上の酸窒化シリコン膜とその上に形成する薄膜の構造解析
- 2007 - 2009 衝撃波によるナノ構造物質の形成
- 2007 - 2009 ガドリニウム添加窒化アルミニウムを用いた新規紫外光発光デバイスの作製
- 2002 - 2004 原子レベル表面状態制御による低欠陥窒化物半導体のヘテロエピタキシー
- 2001 - 2002 III族窒化物半導体量子ドットLED・レーザの開発研究
- 2000 - 2001 選択成長した半導体フォトニックドットによる自然放出光制御の研究
- 1998 - 1999 紫外半導体レーザーの為の高輝度紫外発光III族窒素化物量子ドットに関する研究
- 1998 - 1999 III族窒化物半導体量子ドット成長機構の解明
- 1997 - 1998 短パルス超音速ビームエピタキシャル法によるIII族窒化物結晶成長とその応用
- 1997 - 1997 keVX線位相制御光学素子の開発
- 1996 - 1997 金属原子層成長法による高性能X線ミラーの作製
- シリコンカーバイド表面に関する研究
- グラフェンの形成機構および構造電子物性相関に関する研究
- ワイドギャップ化合物半導体に関する研究
- Study on Sic surfaces
- Study on Nitride Quantum dots
- Study on Wide-gap compound semiconductors
全件表示