研究者

J-GLOBAL ID：200901004890557930 更新日: 2024年06月19日

Niraula Madan

ニラウラマダン | Niraula Madan

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (1件)： http://smd-lab.web.nitech.ac.jp/

研究分野 (3件)：電気電子材料工学 , 応用物理一般 , 応用物性

研究キーワード (3件)： Radiation Detectors , Epitaxial Growth , 電気材料電子物性一般放射線検出器エピタキシャル成長

競争的資金等の研究課題 (8件)：

2003 - 現在テルル化カドミウムによる高エネルギー分解能放射線画像検出器の開発
2002 - 現在半導体放射線検出器の高性能化に関する研究
2002 - 現在医療用高性能大面積半導体放射線画像検出器の開発
2020 - 2023 Si基板上のCdTe成長層を用いたX線画像検出器の性能と信頼性向上に関する研究
2017 - 2018 CdTe成長層を用いた医療用高感度大面積X線画像検出器アレイの開発

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論文 (99件)：

B. S. Chaudhari, H. Goto, M. Niraula, K. Yasuda. Analysis of dislocations and their correlation with dark currents in CdTe/Si heterojunction diode-type x-ray detectors. J. Appl. Phys. 2021. 130. 055302 -(1 )-055302 -(5)
M. Niraula, K. Yasuda, R. Torii, Y. Higashira, R. Tamura, B. S. Chaudhari, T. Kobayashi, H. Goto, S. Fujii, Y. Agata. Properties of iodine-doped CdTe layers on (211) Si grown at high substrate temperatures by MOVPE. Journal of Electronic Materials. 2020. 49. 11. 6996-6999
Quinn Looker, Michael G. Wood, Antonino Miceli, Madan Niraula, Kazuhito Yasuda, John L. Porter. Synchrotron characterization of high-Z, current-mode x-ray detectors. Review of Scientific Instruments. 2020. 91. 2. 023509-1-023509-8
M. Niraula, K. Yasuda, R. Torii, R. Tamura, Y. Higashira, Y. Agata. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Thick and Uniform Single Crystal CdTe Epitaxial Layers on (211) Si Substrates for X-ray Imaging Detector Development. Journal of Electronic Materials. 2019. 48. 12. 7680-7685
M. Niraula, K. Yasuda, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, T. Mori, Y. Agata. Characterization of Fine-Pixel X-ray Imaging Detector Array Fabricated by Using Thick Single-Crystal CdTe Layers on Si Substrates Grown by MOVPE. IEEE Trans. Electron Devices. 2019. 66. 1. 518-523

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MISC (1件)：

安田和人, Niraula Madan. 放射線エネルギーを識別可能な画像検出器の開発. 光アライアンス. 2012. 23. 6. 33-36

特許 (7件)：

半導体放射線検出器
Method for manufacturing a semiconductor radiation detector
Method for manufacturing a semiconductor radiation detector
放射線検出器の製造方法
半導体放射線検出器

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講演・口頭発表等 (66件)：

Low Temperature Annealing of CdTe Detectors with Evaporated Gold Contacts and its effect on Detector Performance
(IEEE-2021 The 28th International Symposium on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD) 2021)
Growth and characterization of single-crystal lead halide perovskite for X-ray detector application
(IEEE-2021 The 28th International Symposium on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD) 2021)
Perovskite Single Crystal Growth for for X-ray Detector Application
(2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021)
Evaluation of dislocation densities and their distribution in epitaxial (211)CdTe/Si
(2021年第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
MOVPE法によるn+-(211)Si上のCdTe成長層の成長室内アニール処理検討
(2021年第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)

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学位 (2件)：

工学博士 (静岡大学)
Doctor of Engineering (Shizuoka University)

経歴 (4件)：

2018/04/01 - 現在名古屋工業大学大学院おもひ領域教授
2002/04/01 - 2018/03/31 名古屋工業大学准教授
2010/08/17 - 2010/09/06 ブルックヘブン国立研究所 (米国) 研究員
2000/04/01 - 2002/03/31 日本学術振興会外国人特別研究員(受入機関:静岡大学電子工学研究所) 日本学術振興会特別研究員

委員歴 (6件)：

2016/12 - 現在 2017 Room Temperature Semiconductor Detectors Advisory Committee
2016/12 - 現在国際会議実行委員
2015/09 - 現在 Program committee
2015/09 - 現在国際会議実行委員
2008/04 - 現在審査員

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受賞 (3件)：

2012/11/27 - 公益財団法人電気科学技術奨励会第60回電気科学技術奨励賞
2004/04 - 財団法人東海学術奨励会 2004 年東海学術奨励会賞 CdTe 厚膜を用いた医療用高性能大面積放射線画像検出器の開発
2002/04 - 公益社団法人応用物理学会第12回応用物理学会講演奨励賞低温プロセスを用いたCdTeピクセル高エネルギー放射線検出器の作製

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