研究者
J-GLOBAL ID：200901026410851447   更新日: 2024年11月08日

鈴木 寿一

スズキ トシカズ | SUZUKI TOSHI-KAZU
所属機関・部署：
北陸先端科学技術大学院大学

北陸先端科学技術大学院大学 について


職名： 教授
研究分野 (2件)： 電気電子材料工学 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (2件)： 半導体デバイス ,  化合物半導体
競争的資金等の研究課題 (4件)：
  • 2022 - 2025 界面電荷・歪分極エンジニアリングの併用による窒化物半導体デバイス閾値電圧制御
  • 2015 - 2018 狭ギャップ半導体における低次元鏡像電荷効果に基づく中赤外領域励起子制御
  • 2014 - 2017 ヘテロ構造設計と微細化により低電圧・高速動作を目指した相補型縦型トンネルFET
  • 2006 - 2007 アンチモン系化合物半導体の結晶成長と高周波デバイス回路実装プロセス
論文 (27件)：
  • Yuchen Deng, Jieensi Gelan, Kazuya Uryu, Toshi-kazu Suzuki. AlGaN/GaN devices with metal-semiconductor or insulator-semiconductor interfacial layers: Vacuum level step due to dipole and interface fixed charge. Journal of Applied Physics. 2024. 135. 8
  • Duong Dai Nguyen, Yuchen Deng, Toshi-kazu Suzuki. Low-frequency noise in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with non-gate-recessed or partially-gate-recessed structures. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023. 38. 9
  • Kazuya Uryu, Yuchen Deng, Son Phuong Le, Toshi-kazu Suzuki. Electron mobility enhancement in n-GaN under Ohmic-metal. AIP ADVANCES. 2023. 13. 7
  • Kazuya Uryu, Shota Kiuchi, Taku Sato, Toshi-kazu Suzuki. Mechanism of low-temperature-annealed Ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures: A study via formation and removal of Ta-based Ohmic-metals. Applied Physics Letters. 2022. 120. 5
  • Kazuya Uryu, Shota Kiuchi, Toshi-kazu Suzuki. Electrical characterization of AlGaN/GaN heterostructures under Ohmic metals by using multi-probe Hall devices. Applied Physics Letters. 2021. 119. 2
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書籍 (1件)：
  • 「2013 化合物半導体技術大全」 第2編 第1章 「化合物半導体基板と結晶成長技術」
    電子ジャーナル出版 2013
講演・口頭発表等 (3件)：
  • Characterization and analysis of GaN-based MIS-HFETs --A method using capacitance-frequency-temperature mapping (Invited)
    (The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013) 2013)
  • 異種材料融合集積に向けた狭ギャップ化合物半導体技術
    (電気学会調査専門委員会 2008)
  • Narrow-gap III-V semiconductor technology: lattice-mismatched growth and epitaxial lift-off for heterogeneous integration (Invited)
    (2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD) 2008)
学位 (3件)：
  • 博士(理学) (東京大学)
  • 理学修士 (東京大学)
  • 教養学士 (東京大学基礎科学科)
経歴 (1件)：
  • ソニー中央研究所 主任研究員
委員歴 (4件)：
  • - 現在 応用物理学会 APEX/JJAP編集委員
  • - 現在 電気学会 電子デバイス技術委員会 副委員長
  • - 現在 電子情報通信学会 電子デバイス研究専門委員会
  • - 2019/09 電気学会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用調査専門委員会 委員長
受賞 (4件)：
  • 2022/04 - IOP (Institute of Physics) Publishing IOP Outstanding Reviewer Award 2021
  • 2018/04 - 応用物理学会 APEX/JJAP編集貢献賞
  • 2018/03 - 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサイエティ活動功労表彰
  • 2015/04 - 応用物理学会 APEX/JJAP編集貢献賞
所属学会 (3件)：
電気学会 ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会
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