研究者
J-GLOBAL ID:200901029826291237
更新日: 2022年08月21日
石田 修一
イシダ シュウイチ | Ishida Shuichi
所属機関・部署:
山口東京理科大学 基礎工学部 電子・情報工学科
山口東京理科大学 基礎工学部 電子・情報工学科 について
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職名:
教授
研究分野 (2件):
磁性、超伝導、強相関系
, 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (4件):
金属薄膜
, 半導体薄膜
, Metal Film
, Semiconductor Film
競争的資金等の研究課題 (6件):
不純物半導体Si:Sbの金属一非金属転移
ナローギャップ半導体の磁場誘起金属-非金属転移と非線形伝導
ガリウム砒素基板上ナローギャップ半導体薄膜の輸送現象
Metal-Insulator Tranition in Doped Semiconductor Si : Sb
Magnetic-Field Induced Metal-Insulator Transition and Non-Ohmic Conduction in Narrow-Gap Semiconductors
Transport Properties in Films of Narrow-Gap Semiconductors
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MISC (33件):
Si:Sbのデルタドープ層とバルクとの弱局在領域の磁気抵抗の比較. 2001. 302-303. 7
Comparison of Magnetoconductance of δ-doped layer and bulk Si : Sb in the Weak-Localization Regime. Physica. 2001. 302/303. 7-11
S Ishida, K Oto, S Takaoka, K Murase, T Serikawa. Crossover from hopping to diffusive transport with increasing gate voltage in poly-Si MOS inversion layer. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH. 2000. 218. 1. 89-92
Si:Sbの上部ハバードバンド輸送現象の弱局在による解析. 2000. 218. 1. 177
ISHIDA S, OTO K, TAKAOKA S, MURASE K, SERIKAWA T. ポリSi MOS反転層のゲート電圧によるホッピングから拡散伝導へのクロスオーバー. European Conference on Physics of Magnetism 2002. 2000. 218. 1. 89-92
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Works (37件):
GaAs基板上のInSb薄膜における電気伝導
2001 -
デルタドープされたSi:Sbにおける反局在効果
2001 -
Electrical Conduction in InSb Film on GaAs Substrate
2001 -
Weak Anti-Localization in δ-doped Si : Sb
2001 -
金属型Si:Sbの電気伝導と弱局在
2000 -
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学位 (1件):
理学博士
所属学会 (2件):
応用物理学会
, 日本物理学会
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