研究者
J-GLOBAL ID:200901038623798491
更新日: 2022年09月11日
藤田 俊昭
フジタ トシアキ | Fujita Toshiaki
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所属機関・部署:
広島大学 工学部 第一類(機械システム工学系) 工学部 第一類(機械システム工学系)
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職名:
助教授
研究分野 (1件):
半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (2件):
光物性
, Optical properties
競争的資金等の研究課題 (4件):
2002 - 二酸化チタンおよび関連物質における電子過程
2002 - Electronic process in titanium oxide and related materials
酸化亜鉛系薄膜の光学的電気的特性
Optical and electric properties of thin films of zinc oxides and related materials
MISC (93件):
T Fujita, J Chen, D Kawaguchi. Photoluminescence from ZnO thin films prepared by vapor phase growth. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2003. 42. 7B. L834-L836
T Fujita, J Chen, D Kawaguchi. Photoluminescence from ZnO thin films prepared by vapor phase growth. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2003. 42. 7B. L834-L836
J Chen, T Fujita. Effects of annealing on photoluminescence of ZnO thin film prepared by vapor phase growth. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2003. 42. 2A. 602-606
J Chen, T Fujita. Effects of annealing on photoluminescence of ZnO thin film prepared by vapor phase growth. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2003. 42. 2A. 602-606
J Chen, T Fujita. Ultraviolet photoluminescence of ZnO thin film prepared by vapor phase growth using a metallic zinc source. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2002. 41. 2B. L203-L205
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学歴 (4件):
- 1974 広島大学 理学研究科 物性学
- 1974 広島大学
- 1968 広島大学 理学部 物性
- 1968 広島大学
学位 (1件):
理学博士
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