研究者
J-GLOBAL ID：200901048755877272   更新日: 2024年03月25日

大毛利 健治

オオモリ ケンジ | Ohmori Kenji
所属機関・部署：
株式会社デバイスラボ

株式会社デバイスラボ について


職名： 代表取締役
ホームページURL (1件)： https://www.devicelab.co.jp
研究分野 (2件)： 結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (9件)： MOSFET ,  雑音 ,  1/f雑音 ,  熱雑音 ,  ショット雑音 ,  極低温環境 ,  半導体プロセス ,  半導体物理 ,  薄膜成長
競争的資金等の研究課題 (3件)：
  • 2008 - 2009 超平滑界面の耐熱性シリサイド薄膜を用いたメタルソース・ドレインMOSFETの研究
  • 2007 - 2008 金属ゲート/High-k絶縁膜スタック構造のナノスケール界面制御
  • 2007 - 2007 新材料ゲートスタック構造に向けた超高速一斉デバイス特性評価手法の開発
論文 (82件)：
  • Kenji Ohmori, Shuhei Amakawa. Variable-Temperature Broadband Noise Characterization of MOSFETs for Cryogenic Electronics: From Room Temperature down to 3 K. 2023 7th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM). 2023
  • Kenji Ohmori, Shuhei Amakawa. Direct White Noise Characterization of Short-Channel MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices. 2021. 68. 4. 1478-1482
  • Kenji Ohmori, Shuhei Amakawa. Variable-Temperature Noise Characterization of N-MOSFETs Using an In-Situ Broadband Amplifier. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2021. 9. 1227-1236
  • K. Ohmori, A. Shinoda, K. Kawai, Z. Wei, T. Mikawa, R. Hasunuma. Reduction of cycle-to-cycle variability in ReRAM by filamentary refresh. 2017 Symposium on VLSI Technology. 2017
  • Wei Feng, Hisashi Shima, Kenji Ohmori, Hiroyuki Akinaga. Investigation of switching mechanism in HfOx-ReRAM under low power and conventional operation modes. Scientific Reports. 2016. 6. 1. 1-8
もっと見る
MISC (3件)：
  • K. Shiraishi, H. Takeuchi, Y. Akasaka, T. Nakayama, S. Miyazaki, T. Nakaoka, A. Ohta, H. Watanabe, N. Umezawa, K. Ohmori, et al. Physics of interfaces between gate electrodes and high-k dielectrics. ICSICT-2006: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings. 2007. 384-387
  • K. Ohmori, P. Ahmet, K. Shiraishi, K. Yamabe, H. Watanabe, Y. Akasaka, N. Umezawa, K. Nakajima, M. Yoshitake, T. Nakayama, et al. Controllability of flatband voltage in high-k gate stack structures - Remarkable advantages of la2O3 over HfO2. ICSICT-2006: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings. 2007. 376-379
  • K. Shiraishi, Y. Akasaka, K. Torii, T. Nakayama, S. Miyazaki, T. Nakaoka, H. Watanabe, K. Ohmori, P. Ahmet, T. Chikyow, et al. New findings in nano-scale interface physics and their relations to nano-CMOS technologies. 2006 INTERNATIONAL WORKSHOP ON NANO CMOS, PROCEEDINGS. 2006. 180-+
学歴 (2件)：
  • 1995 - 2000 名古屋大学 大学院工学研究科 結晶材料工学専攻
  • 1989 - 1995 名古屋大学 工学部 応用物理学科
経歴 (6件)：
  • 2017/04 - 現在 株式会社デバイスラボ 代表取締役
  • 2010/08 - 2017/03 筑波大学 数理物質系 物理工学域 准教授
  • 2007/04 - 2010/07 早稲田大学 ナノ理工学研究機構 ナノテクノロジー研究所 客員准教授(専任扱い)
  • 2005/04 - 2007/03 国立研究開発法人物質・材料研究機構 半導体材料センター 特別研究員
  • 2001/06 - 2005/03 米国 イリノイ大学 Materials Research Laboratory 博士研究員
全件表示
所属学会 (2件)：
IEEE ,  応用物理学会
※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

TOP

BOTTOM