研究者
J-GLOBAL ID:200901048966838885
更新日: 2024年09月25日
上向井 正裕
ウエムカイ マサヒロ | Uemukai Masahiro
所属機関・部署:
職名:
助教
研究キーワード (4件):
光エレクトロニクス
, 集積半導体レーザ
, Optoelectronics
, Integrated Semiconductor Lasers
競争的資金等の研究課題 (18件):
- 2023 - 2027 光量子コンピューティング用窒化物半導体モノリシック光集積デバイスに関する研究
- 2022 - 2024 窒化物半導体光増幅器を用いた小型・高効率な青色単一波長高出力光源の開発
- 2019 - 2023 スクイーズド光発生用半導体レーザ励起窒化物半導体導波路型非線形光学デバイスの開発
- 2017 - 2022 強誘電体・常誘電体積層光導波路を用いた量子計算システムの開発
- 2019 - 2021 結晶面方位変調テンプレートを用いた高スループットμLED製造プロセスの開発
- 2017 - 2019 モノリシック共振器型ワイドギャップ半導体波長変換素子の開発
- 2016 - 2019 2次元フォトニック結晶を用いた円形光共振器半導体レーザの研究開発
- 2014 - 2017 周波数可変コヒーレントテラヘルツ波発生用2波長集積半導体レーザの研究
- 2009 - 2011 強閉じ込め埋み導波路を用いた集積非線形量子フォトニックデバイスの研究
- 2009 - 2010 マルチスポット表面放射集積半導体レーザを用いた2波長励起蛍光免疫センサの研究
- 2005 - 2008 量子情報処理への応用を目指した半導体レーザ励起集積非線形光学デバイスの研究
- 2006 - 2007 マイクロビーズアレイを用いた半導体レーザ励起蛍光免疫センサに関する研究
- 2003 - 2005 集積量子フォトニックデバイスの研究
- 2004 - 半導体レーザ・フォトダイオードを集積したセルソータマイクロチップに関する研究
- 2001 - 2003 導波型非線形光学波長変換デバイスとその応用
- 1999 - 2000 グレーティング素子と量子井戸レーザを用いたモノリシック光集積回路の研究
- グレーティング素子と量子井戸レーザを用いたモノリシック光集積デバイス
- Monolithically integrated optical devices using waveguide grating and quantum well laser
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論文 (45件):
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Tomoaki Nambu, Masashi YOSHIMURA, Yusuke Mori, Yasufumi FUJIWARA, Ryota Ishii, Yoichi KAWAKAMI, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TANIKAWA, Ryuji KATAYAMA. 199 nm vacuum-ultraviolet second harmonic generation from SrB4O7 vertical microcavity pumped with picosecond laser. Applied Physics Express. 2024
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Taisei Kusui, Takumi Wada, Naritoshi Matsushita, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TANIKAWA, Ryuji KATAYAMA. Continuous-wave operation of InGaN tunable single-mode laser with periodically slotted structure. Applied Physics Express. 2024
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Hiroto Honda, Ryosuke Noro, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama. Design of Horizontally Stacked AlN and Dielectric Cores Transverse Quasi-Phase-Matched Channel Waveguide for Squeezed Light Generation. physica status solidi (a). 2024
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Ryosuke Noro, Masahide Okazaki, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama. Buried annealed proton-exchanged waveguide in periodically-poled MgO:LiTaO3 fabricated by surface-activated bonding for high-power wavelength conversion. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 6
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Toshihiko Fukamachi, Junichi Nishinaka, Koichi Naniwae, Shuichi Usuda, Haruki Fukai, Akihiko Sugitani, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama. Demonstration of a violet-distributed feedback laser with fairly small temperature dependence in current-light characteristics. Applied Physics Express. 2024. 17. 5
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MISC (63件):
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高木健太, 安藤壮, 森岡佳紀, 上向井正裕, 片山竜二, 今井大地, 宮嶋孝夫. Pendeo成長GaNを下地とした3次表面グレーティングを有する横結合分布帰還型GaN系半導体レーザの設計と作製. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2019. 66th
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Saha Ashim Kumar, Uemukai Masahiro, Suhara Toshiaki. Single-Mode Operation of GaAsP Ring/Fabry-Perot Composite Cavity Semiconductor Lasers (フォトニックネットワーク). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2015. 114. 430. 237-240
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Saha Ashim Kumar, Uemukai Masahiro, Suhara Toshiaki. Single-Mode Operation of GaAsP Ring/Fabry-Perot Composite Cavity Semiconductor Lasers (レーザ・量子エレクトロニクス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2015. 114. 432. 237-240
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上向井 正裕, 上西 健吾, 栖原 敏明. マルチスポット形成位相変調グレーティング結合器集積化GaInP量子井戸DBRレーザ (フォトニックネットワーク). 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報. 2012. 111. 412. 305-308
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M. Uemukai, H. Ishida, A. Ito, T. Suhara, H. Kitajima, A. Watanabe, H. Kan. Integrated AlGaAs Quantum-Well Ridge-Structure Two-Wavelength DBR Laser for THz Wave Generation. 22ND IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE. 2010. TuC4, pp.74-75. 61-+
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Works (7件):
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強閉じ込め埋込み導波路を用いた集積非線形量子フォトニックデバイスの研究
2011 -
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強閉じ込め埋込み導波路を用いた集積非線形量子フォトニックデバイスの研究
2009 -
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マルチスポット表面放射集積半導体レーザを用いた2波長励起蛍光免疫センサの研究
2009 -
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マイクロビーズアレイを用いた半導体レーザ励起蛍光免疫センサに関する研究
2007 -
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マイクロビーズアレイを用いた半導体レーザ励起蛍光免疫センサに関する研究
2006 -
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学歴 (4件):
- - 1999 大阪大学 工学研究科 電子工学
- - 1999 大阪大学
- - 1994 大阪大学 工学部 電子工学
- - 1994 大阪大学
学位 (1件):
経歴 (3件):
- 2007 - - 大阪大学大学院工学研究科・助教
- 1999 - 2002 Research Fellow of the Japan Society
- for the Promotion of Science
受賞 (1件):
- 1995 - A Microoptics Conference Paper Award
所属学会 (2件):
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