渡辺正裕

ワタナベマサヒロ | Watanabe Masahiro

所属機関・部署：
職名：准教授

研究分野 (1件)：電気電子材料工学

競争的資金等の研究課題 (4件)：

論文 (62件)：

Gensai Tei, Yohei Koyanagi, Long Liu, Masahiro Watanabe. Near-infrared (λ ∼ 1.2 μm) intersubband electroluminescence in Si/CaF₂ quantum cascade structures. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 7. 072004-072004
Gensai TEI, Long LIU, Masahiro WATANABE. Design and Analysis of Si/CaF₂ Near-Infrared (λ∼1.7μm) DFB Quantum Cascade Laser for Silicon Photonics. IEICE Transactions on Electronics. 2023. E106.C. 5. 157-164
Long LIU, Gensai TEI, Masahiro WATANABE. Design, Fabrication, and Evaluation of Waveguide Structure Using Si/CaF₂ Heterostructure for Near- and Mid- Infrared Silicon Photonics. IEICE Transactions on Electronics. 2023. E106.C. 1. 1-6
Gensai Tei, Long Liu, Yohei Koyanagi, Masahiro Watanabe. Room temperature near-infrared electroluminescence of Si/CaF₂ quantum cascade laser structures grown on an SOI substrate. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. SB. SBBE03-SBBE03
Yoshiro Kumagai, Satoshi Fukuyama, Hiroki Tonegawa, Kizashi Mikami, Kodai Hirose, Kanta Tomizawa, Kensuke Ichikawa, Masahiro Watanabe. Negative differential resistance of CaF₂/Si double barrier resonant tunneling diodes fabricated using plasma etching mesa isolation process. Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59. SI. SIIE03-SIIE03

MISC (5件)：

渡辺正裕, 田村信平, 金澤徹, 自念圭輔, 浅田雅洋. ローカルエピタキシー法によるCoSi_2/CaF_2三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性. 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス. 2005. 104. 622. 7-10
渡辺正裕, 金澤徹, 自念圭輔, 浅田雅洋. Si(100) 基板上に形成されたCdF_2/CaF_2超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2004. 103. 631. 25-28
渡辺正裕, 石川達也, 松田克己, 金澤徹, 浅田雅洋. ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード. 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス. 2002. 101. 618. 65-70
渡辺正裕, 筒井将史, 浅田雅洋. Si-CaF_2及びCdF_2-CaF_2ヘテロ接合を用いたシリコン基板上共鳴トンネルダイオード. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2000. 99. 618. 73-78
渡辺正裕, 末益崇, 浅田雅洋. 金属/絶縁体ヘテロ接合電子デバイス. 應用物理. 1994. 63. 2. 124-131

講演・口頭発表等 (70件)：

TCAD simulation of trench-gate IGBTs for prediction of carrier lifetime requirements for future scaled devices
(2021 IEEE 14th International Conference on ASIC (ASICON 2021) 2021)
Accurate TCAD simulation of trench-gate IGBTs and its application to prediction of carrier lifetime requirements for future scaled devices
(The 5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM2021) 2021)
Impact of three-dimensional current flow on accurate TCAD simulation for trench-gate IGBTs
(The 31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics 2019)
Pulsed operation of resistance switching memory of Si/CaF_2_/CdF_2_ resonant-tunneling quantum-well structures
(The 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), A-8-4 2013)
Near Infrared (λ~1.5μm) Room Temperature Electroluminescence from Si/CaF_2_ Intersubband Transition Laser Structures Grown on Silicon-on-Insulator Substrate
(18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics, and Nanostructures (EDISON18), TH3-5 2013)

学歴 (3件)：

学位 (1件)：

経歴 (4件)：

委員歴 (1件)：

受賞 (4件)：

所属学会 (2件)：

応用物理学会 , 電子情報通信学会

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渡辺 正裕