研究者
J-GLOBAL ID:200901055606233466
更新日: 2024年04月17日
岡本 紘
オカモト ヒロシ | Okamoto Hiroshi
所属機関・部署:
旧所属 千葉大学 工学部 共生応用化学科
旧所属 千葉大学 工学部 共生応用化学科 について
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職名:
教授
研究分野 (4件):
光工学、光量子科学
, 薄膜、表面界面物性
, 結晶工学
, 応用物性
競争的資金等の研究課題 (6件):
半導体の非線形光学
半導体超薄膜量子構造の光物性
MBE法による半導体超薄膜量子井戸構造の作製
Nonlinear Optics of Semiconductor
Optical Property of Semiconductor Quantum Well and Superlattice
MBE growth of Semiconductor Quantum Well and Superlattice
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MISC (3件):
Semiconductor quantum well structures for optoelectronics - Recent advances and future prospects -. Japanese Journal of Applied Physics. 1987. 26. 3
Exciton binding energy in GaAs quantum wells deduced from magneto-optical absorption measurement. Solid state Commun. 1984. 53. 9
Excitonic associated optical absorption spectra of AlAs/GaAs superlattices at 300K. Insti. Phys. Cont. Series. 1982. 63. 12
書籍 (18件):
電気工学ハンドブック
電気学会 1999
Handbook of Electrical Engineering
Institute of Electrical Engineering 1999
(]G0003[)-(]G0005[) 量子井戸及び超格子の物性
EMISデータレビューシリーズ(]G0061[)15,INSPEC出版,IEE(英国 1996
Properties of (]G0003[)-(]G0005[) Quantum Wells and Superlattices
IMIS Dotareview Series (]G0061[)15 an INSPEC publication, IEE 1996
積層材料技術
コロナ社 1989
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Works (4件):
半導体の非線形光学
2000 -
Nonlinear Optics of Semiconductor
2000 -
MBE法による半導体超薄膜量子井戸構造の作製
1996 -
MBE growth of Semiconductor Quantum Well and Superlattic
1996 -
学歴 (4件):
- 1966 東京大学 工学系研究科 電子工学
- 1966 東京大学
- 1964 東京大学 工学部 電気工学
- 1964 東京大学
学位 (1件):
工学博士 (東京大学)
経歴 (3件):
1988 - 1992 古河電工(株)横浜研究所
1992 - - 千葉大学工学部
1966 - 1988 NTT電気通信研究所
所属学会 (3件):
IEEE
, 米国物理学会(American Physical Society)
, 応用物理学会
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