白石賢二

Shiraishi Kenji

研究分野 (1件)：薄膜、表面界面物性

競争的資金等の研究課題 (24件)：

2013 - 2016 新しいヘテロ界面形成による高性能・省エネルギートランジスタの基盤構築

2012 - 2015 ダイヤモンド表面の超高濃度キャリア生成機構の統一的解明と次世代デバイスへの展開

2012 - 2014 超格子や界面層を用いた低電力相変化デバイスの信頼性研究開発

2009 - 2012 ナノデバイスのピコ秒物理の解析による揺らぎ最小化設計指針の開発

2007 - 2011 ナノワイヤFETの研究開発

2005 - 2010 計算量子科学によるナノアーキテクチャーの構築

2006 - 2010 III 族窒化物半導体の点欠陥と発光ダイナミックスの研究

2006 - 2009 第一原理量子論によるナノデバイス材料・界面の物性予測

2006 - 2008 ナノ界面理論の新展開とそのナノデバイスへの応用

2006 - 2008 シリコンナノ構造酸化の窒素添加による制御

2005 - 2008 ナノ・バイオ物質における形状と機能の量子デザイン

2006 - 2007 タンパク質超分子中のプロトン移動機構の電子レベルでの解明

2003 - 2006 Nano-CMOS超低消費電力デバイス技術に関する研究

2004 - 2006 ナノ・バイオ物質における形状と機能の量子論:計算物理学的アプローチ

2005 - 2005 チトクローム酸化酵素におけるプロトンポンプ機構の電子レベルでの解明

2004 - 2005 次世代極薄高誘率ゲート絶縁膜中の不純物の挙動に関する理論的研究

2002 - 2003 シリコン熱酸化の界面素過程に関する理論的研究

2001 - 2003 蛋白質ナノチューブの第一原理電子論

1995 - 1996 エピタキシャル成長の量子論と構造のダイナミクス

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論文 (493件)：

Hiroyuki Kageshima, Toru Akiyama, Kenji Shiraishi. First-principles study on barrier height of silicon emission from interface into oxide during silicon thermal oxidation. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 4. 04SP08-04SP08
Toru Akiyama, Hiroyuki Kageshima, Kenji Shiraishi. Reaction of NO molecule at 4H-SiC/SiO₂ interface and its orientation dependence: a first-principles study. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 3. 03SP80-03SP80
Shun Matsuda, Toru Akiyama, Tetsuo Hatakeyama, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama. First-principles study for orientation dependence of band alignments at the 4H-SiC/SiO₂ interface. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 02SP69-02SP69
Hiroyuki Kageshima, Toru Akiyama, Kenji Shiraishi. First-principles study on silicon emission from interface into oxide during silicon thermal oxidation. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023. 162. 107527-107527
Hiroshi Kamimura, Masaaki Araidai, Kunio Ishida, Shunichi Matsuno, Hideaki Sakata, Kenji Sasaoka, Kenji Shiraishi, Osamu Sugino, Jaw-Shen Tsai, Kazuyoshi Yamada. Elucidation of Spin-Correlations, Fermi Surface and Pseudogap in a Copper Oxide Superconductor. Condensed Matter. 2023. 8. 2. 33-33

MISC (94件)：

松田隼, 秋山亨, 畠山哲夫, 白石賢二, 中山隆史. 4H-SiC/SiO₂界面におけるバンド配列の面方位依存性に関する理論検討. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
影島博之, 秋山亨, 白石賢二. Si酸化における界面から酸化膜へのSi放出過程の理論検討. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
松田隼, 秋山亨, 畠山哲夫, 白石賢二, 中山隆史. ハイブリッド密度汎関数法による4H-SiC/SiO₂界面におけるバンド配列の面方位依存性の理論解析. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 84th
秋山亨, 清水紀志, 伊藤智徳, 影島博之, 白石賢二. 4H-SiC/SiO₂界面での窒素酸化物およびアンモニアの反応機構の理論的検討. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
秋山亨, 清水紀志, 伊藤智徳, 影島博之, 白石賢二. 4H-SiC/SiO₂界面での窒素取り込みの面方位依存性に関する理論検討. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd

講演・口頭発表等 (94件)：

First Principles Studires on the Complex of the Mg Impurity and the Screw Dislocations in GaN
(WebCongress on Computational Materials and Modeling, online 2021)
First principles molecular dynamics as a tool to explore complex reactions in GaN
(International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation, online 2021)
Structures, electron states and reactions on growing surfaces and at device interfaces of SiC and GaN
(International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation, online 2021)
What are nesesaary for future non-volatile memories?
(Webinar on Science, Engineering and Technology, online 2020)
Atomic and Electronic Structures of Complexes of Screw Dislocations and Mg Impurities in GaN
(International Webinar on Nanotechnology, online 2020)

学歴 (1件)：

経歴 (7件)：

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所属学会 (5件)：

IEEE , 日本結晶成長学会 , 日本物理学会 , 応用物理学会 , 日本表面科学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

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