右田真司

Migita Shinji

所属機関・部署：
職名：総括研究主幹
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=S69802894

研究分野 (2件)：金属材料物性 , 電子デバイス、電子機器

競争的資金等の研究課題 (3件)：

2020 - 2023 HfO2系強誘電体の分極揺らぎの制御による新奇物性の探索
2020 - 2023 強誘電体分極ダイナミクスを利用した急峻スイッチトランジスタの基盤技術構築
高誘電体をゲートに用いたトランジスタの高性能化

論文 (159件)：

Leonid Bolotov, Shinji Migita, Ryouta Fujio, Manabu Ishimaru, Shogo Hatayama, Noriyuki Uchida. Impact of annealing on electric and elastic properties of 10-nm Hf0.5Zr0.5O2 films prepared on Si by sputtering. Microelectronic Engineering. 2022. 258
Mohit Mohit, Yuli Wen, Yuki Hara, Shinji MIGITA, Hiroyuki OTA, Yukinori Morita, Keisuke OHDAIRA, Eisuke TOKUMITSU. Enhancement of ferroelectricity in sputtered HZO thin films by catalytically generated atomic hydrogen treatment. Japanese Journal of Applied Physics. 2022
Kenshi Takada, Mikio Murase, Shinji Migita, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura. Investigation of the wake-up process and time-dependent imprint of Hf0.5Zr0.5O2 film through the direct piezoelectric response. Applied Physics Letters. 2021. 119. 3
Junichi Hattori, Tsutomu Ikegami, Koichi Fukuda, Hiroyuki Ota, Shinji Migita, Hidehiro Asai. Device simulation of negative-capacitance field-effect transistors with a uniaxial ferroelectric gate insulator. IEICE NONLINEAR THEORY AND ITS APPLICATIONS. 2020. 11. 2. 145-156
Hiroyuki Ota, Tsutomu Ikegami, Koichi Fukuda, Junichi Hattori, Hidehiro Asai, Kazuhiko Endo, Shinji Migita, Akira Toriumi. Multidomain Dynamics of Ferroelectric Polarization and its Coherency-Breaking in Negative Capacitance Field-Effect Transistors. Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM. 2019. 2018-December. 9.1.1-9.1.4

MISC (103件)：

福田浩一, 浅井栄大, 服部淳一, 森貴洋, 森田行則, 昌原明植, 右田真司, 太田裕之, 遠藤和彦, 松川貴. TFETの短チャネル効果と界面ポテンシャル. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 79th. ROMBUNNO.21p-PB3-1
森貴洋, 浅井栄大, 服部淳一, 福田浩一, 大塚慎太郎, 森田行則, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 水林亘, et al. 等電子トラップ技術による相補型TFET回路の特性向上. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 64th. ROMBUNNO.16p-412-1
森田行則, 福田浩一, LIU Y. X, 森貴洋, 水林亘, 大内真一, 更田裕司, 大塚慎太郎, 右田真司, 昌原明植, et al. IoT応用に向けたフィン型トンネルFETによるCMOSインバーターの形成. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 64th. ROMBUNNO.16p-412-3
森貴洋, 浅井栄大, 服部淳一, 福田浩一, 大塚慎太郎, 森田行則, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 水林亘, et al. 招待講演等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 116. 448. 1-4
松川貴, 森貴洋, 森田行則, 大塚慎太郎, LIU Y, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 昌原明植. FinFET寄生抵抗ばらつきの解析:エクステンションドーピング条件の影響. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2016. 77th. ROMBUNNO.13p-B13-6

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