吉武剛

ヨシタケツヨシ | Yoshitake Tsuyoshi

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (3件)：無機材料、物性 , 電気電子材料工学 , 薄膜、表面界面物性

研究キーワード (6件)：ダイヤモンド , 半導体 , 薄膜 , Diamond , semiconductor , Thin Film

競争的資金等の研究課題 (22件)：

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論文 (344件)：

Satoki Nagano, Hiroshi Naragino, Hiroki Hashiguchi, Shunsuke Hokazono, Lama Osman, Mohamed Ragab Diab, Abdelrahman Zkria, Tsuyoshi Yoshitake. Fabrication of nitrogen-doped quenched-produced diamond electrodes on titanium substrates by coaxial arc plasma deposition. Functional Diamond. 2024
Koki Murasawa, Mohamed Ragab Diab, Mei Wang, Hiroshi Naragino, Tsuyoshi Yoshitake, Mohamed Egiza. Influence of droplet-free ta-C coatings and lubrication conditions on tribological performance and mechanical characteristics of WC-Co. Materials Letters. 2024. 372. 137058-137058
Koki Murasawa, Mohamed R. Diab, Hoda Atta, Hiroshi Naragino, Abdelhamid El-Shaer, Tsuyoshi Yoshitake, Mohamed Egiza. Disclosing mechanical and specific structural characteristics of thick and adherent nanodiamond composite hard coating deposited on WC-Co substrates. Materials Today Communications. 2024. 40. 109839-109839
Mohamed Egiza, Mohamed Ragab Diab, Koki Murasawa, Hiroshi Naragino, Tsuyoshi Yoshitake. Nanomechanical and Structural Characteristics of Nanodiamond Composite Films Dependent on Target-Substrate Distance. Arabian Journal for Science and Engineering. 2024
Sreenath Mylo Valappil, Abdelrahman Zkria, Phongsaphak Sittimart, Shinya Ohmagari, Tsuyoshi Yoshitake. Maximizing visible Raman resolution of nanodiamond grains fabricated by coaxial arc plasma deposition through oxygen plasma etching optimization. Surface and Interface Analysis. 2024

MISC (232件)：

堺研一郎, 浜崎健, 荒巻枚希, 田部井哲夫, 西嶋雅彦, 吉武剛. 鉄シリサイド半導体中への電気的スピン注入. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 81st
田中佑樹, 吉田智博, 内田聖也, 村澤功基, 福井康雄, 櫻井正俊, 工藤昌輝, 鳥山誉亮, 吉武剛. CAPD 法によるナノコンポジット窒化アルミニウム薄膜の合成. 2019
吉田智博, 田中佑樹, 村澤功基, 工藤昌輝, 鳥山誉亮, 内田聖也, 福井康雄, 櫻井正俊, 吉武剛. 反応性CAPD法により成膜したAlBN硬質皮膜の構造解析. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2019. 66th
Rei Fukuta, Naoya Yamamoto, Fumitaro Ishikawa, Masafumi Matsushita, Tsuyoshi Yoshitake, Hiroshi Ikenoue, Hiroaki Ohfuji, Toru Shinmei, Tetsuo Irifune. Pulsed laser irradiation as a process of conductive surface formation on nanopolycrystalline diamond. Japanese Journal of Applied Physics. 2018. 57. 11
田中佑樹, 内田聖也, 吉田智博, 村澤功基, 福井康雄, 櫻井正俊, 工藤昌輝, 鳥山誉亮, 吉武剛. 同軸型アークプラズマ堆積法を用いたAlBN薄膜のB添加による硬度への影響. 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web). 2018. 44

特許 (6件)：

発明の名称:ダイヤモンド薄膜の形成方法出願番号:特願2002-253766 提出日:2002年8月30日発明者:吉武剛、永山邦仁、原武嗣特許出願者人:科学技術振興事業団
発明の名称:鉄シリサイド半導体薄膜およびその製造方法出願番号:特願2002-200948 提出日:2002年7月10日発明者:吉武剛、前田佳均、宮尾正信、佐道泰造特許出願者人:科学技術振興事業団
発明の名称: β-FeSi2薄膜の作製方法出願番号:特願2001-386820 提出日:平成13年12月19日発明者:吉武剛特許出願者人:科学技術振興事業団
発明の名称:半導体特性を示すアモルファス鉄シリサイド膜とその作製方法出願番号:特願2001-386824 提出日:平成13年12月19日発明者:吉武剛特許出願者人:科学技術振興事業団
発明の名称 : レーザーアブレーション法成膜装置および成膜方法、出願番号 : 特願2001-165793、提出日平成13年5月30日、発明者 : 吉武剛、特許出願者人 : 科学技術振興事業団

書籍 (3件)：

3.4節パルスレーザ堆積法&3.5節スパッタリング成膜法 in シリサイド系半導体の科学と技術: 資源・環境時代の新しい半導体と関連物質(前田佳均編)
裳華房 2014
n-Type β-FeSi2/p-type Si near-infrared photodiodes prepared by facing-targets direct-current sputtering
InTech Open Access Publisher 2010
レーザーマイクロ・ナノプロセッシング
シーエムシー出版 2004

講演・口頭発表等 (719件)：

同軸型アークプラズマ成膜法による導電性超ナノ微結晶ダイヤモンド電極の作製
(第69回応用物理学会春季学術講演会 2022)
窒素ドープ超ナノ微結晶ダイヤモンド電極の作製と CO2還元特性
(第12回半導体材料・デバイスフォーラム 2021)
鉄シリサイド半導体を用いた横型スピンバルブ素子
(第12回半導体材料・デバイスフォーラム 2021)
p-Type diamond/n-type β-Ga2O3 heterojunctions fabricated using direct-bonding technique
(2021 MRS Fall Meeting 2021)
シリコン基板上に成膜されたナノダイヤモンド混相膜の機械的・構造的特性に基板温度及び中間層がもたらす影響
(2021年(令和3年度)応用物理学会九州支部学術講演会 2021)

Works (1件)：

学位 (1件)：

受賞 (4件)：

所属学会 (4件)：

日本MRS , 電気学会 , 応用物理学会 , 日本応用磁気学会

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吉武 剛