小林光

コバヤシヒカル | Kobayashi Hikaru

所属機関・部署：
職名：名誉教授

研究分野 (4件)：分子生物学 , エネルギー化学 , 電気電子材料工学 , 半導体、光物性、原子物理

研究キーワード (6件)：太陽電池 , 電子材料物性 , 半導体・誘電体物性 , solar cell , Electronic Materials Science , semiconductor and dielectrics physics

競争的資金等の研究課題 (10件)：

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論文 (133件)：

Masato Shimada, Yoshihisa Koyama, Yuki Kobayashi, Yasunari Matsumoto, Hikaru Kobayashi, Shoichi Shimada. Si-based agent alleviated small bowel ischemia-reperfusion injury through antioxidant effects. Scientific Reports. 2024. 14. 1
Shogo Togawa, Noriyoshi Usui, Miyuki Doi, Yuki Kobayashi, Yoshihisa Koyama, Yukiko Nakamura, Koh Shinoda, Hikaru Kobayashi, Shoichi Shimada. Neuroprotective effects of Si-based hydrogen-producing agent on 6-hydroxydopamine-induced neurotoxicity in juvenile mouse model. Behavioural Brain Research. 2024. 468
Riri Jonuarti, Wilson Agerico Diño, Hikaru Kobayashi, Suprijadi, Ratnawulan, Rahmat Hidayat. Hydrogen generation via water splitting with hexagonal silicon monolayers as (photo)catalysts. Molecular Catalysis. 2024. 559
Yoshihisa Koyama, Yuki Kobayashi, Hikaru Kobayashi, Shoichi Shimada. Diverse Possibilities of Si-Based Agent, a Unique New Antioxidant. Antioxidants (Basel, Switzerland). 2023. 12. 5
Masato Shimada, Yoshihisa Koyama, Yuki Kobayashi, Hikaru Kobayashi, Shoichi Shimada. Effect of the new silicon-based agent on the symptoms of interstitial pneumonitis. Scientific reports. 2023. 13. 1. 5707-5707

MISC (368件)：

Noriyoshi Usui, Hikaru Kobayashi, Shoichi Shimada. Neuroinflammation and Oxidative Stress in the Pathogenesis of Autism Spectrum Disorder. International Journal of Molecular Sciences. 2023. 24. 6
赤井智喜, 入鹿大地, 今村健太郎, 小林光. 8aAK-4 Pt針を用いたウェットエッチングによる高アスペクト比シリコンマイクロホールの形成メカニズム(8aAK 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2014. 69. 2. 641-641
今村健太郎, 入鹿大地, 謝〓, 小林光. 8aAK-5 Pt触媒を用いてHF/H_2O_2溶液中で形成したSiナノクリスタル層/Si構造の極低反射率のメカニズム(8aAK 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2014. 69. 2. 641-641
今村健太郎, 松本健俊, 小林光. 28pJA-6 シリコン源を用いた硝酸酸化法によるSiO_2/Si構造の形成メカニズムとその特性(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2013. 68. 2. 833-833
王カイ, 松本健俊, 高橋昌男, 小林光. 24pCC-11 シアン化処理法を用いた欠陥除去と洗浄による太陽電池用シリコン基板のライタイムの向上(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2012. 67. 1. 938-938

特許 (49件)：

Semiconductor and a Method for Manufacturing on Oxide Film on the Surface of a Semiconductor Substrate
Semiconductor and a Method for Manufacturing on Oxide Film on the Surface of a Semiconductor Substrate
Semiconductor and a Method for Manufacturing on Oxide Film on the Surface of a Semiconductor Substrate
Method of Apparatus for Manufacturing Semiconductor Devices
Method of Apparatus for Manufacturing Semiconductor Devices

書籍 (3件)：

Determination of the Energy Distribution of Interface States in the Si forbidden gap by XPS measurements under bias
Precision Science and Technology for Perfects Surfacrs 1999
Ultrathin MOS gate insulators : surface preparation, growth, and Interface control
Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films 1997
Interface states for MOS devices with an ultrathin oxide layers
The phsics and chemistry of SiO<sub>2</sub> and the SiO<sub>2</sub> interface -3 1996

Works (3件)：

学歴 (4件)：

学位 (1件)：

所属学会 (7件)：

The Electrochemical Society , 日本物理学会 , American Physical society , 日本表面科学会 , American Association for the Advancement of Science , 応用物理学会 , 日本化学会

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小林 光