研究者
J-GLOBAL ID:200901068009465970
更新日: 2020年04月30日
遠山 尚武
トオヤマ ナオタケ | Toyama Naotake
所属機関・部署:
旧所属 九州工業大学 工学部 電気工学科
旧所属 九州工業大学 工学部 電気工学科 について
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職名:
助教授
研究分野 (2件):
結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (8件):
結晶成長
, 薄膜
, 炭化シリコン
, カーボンナノチューブ
, Crystal growth
, Thin film
, Silicon carbide
, Carbon nanotube
競争的資金等の研究課題 (6件):
2003 - 2006 CVD法によるカーボンナノチューブの低温形成
2003 - 2006 Growth of carbon nanotubes in low temperature by laser assisted CVD method.
2001 - 2006 SiC表面分解法によるカーボンナノチューブの選択的成長制御
2001 - 2006 Selective growth control of carbon nanotube films by surface decomposition of silicon carbide.
レーザーによるカーボンナノチューブの微細加工技術の開発
Development of the fine processing technology of carbon nanotube
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MISC (19件):
小西 博文, 松岡 宏則, 遠山 尚武, 内藤 正路, 西垣 敏, 楠 美智子. レーザ照射効果を用いたカーボンナノチューブの成長制御(共著). 真空. 2004. 47. 3. 136-139
Growth contorol of carbon nanotubes on silicon carbide surfaces using the laser irradiation effect(jointly worked). Thin Solid Films. 2004. 464-465. 295-298
Growth contorol of carbon nanotubes on silicon carbide surfaces using the laser irradiation effect(jointly worked). Thin Solid Films. 2004. 464-465. 295-298
ArF-excimer-laser annealing of 3C-SiC films-diode characteristics and numerical simulation ''(共著). Optics & Laser Technology. 2003. 35. 6. 451-456
An STM observation of the initial process of graphitization at the 6H-SiC(000-1) surface ''(共著). Surface Review and Letters. 2003. 10. 2-3. 473-477
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特許 (1件):
SiC単結晶簿膜の製造方法
Works (2件):
レーザによる炭化シリコン結晶膜の形成
1991 - 1996
Crystal growth of Sic thin film by laser CVD
1991 - 1996
学歴 (2件):
- 1968 九州工業大学 工学研究科 電気工学専攻
- 1968 九州工業大学
学位 (1件):
理学博士 (九州大学)
経歴 (4件):
1984 - 2003 九州大学工学部 助教授
1969 - 1984 九州大学工学部 助手
1969 - 1984 Research Associate, Faculty of Engineering,
九州工業大学
所属学会 (2件):
応用物理学会
, The Japan Society of Applied Physics
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