西村智朗

ニシムラトモアキ | Nishimura Tomoaki

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (3件)：電気電子材料工学 , 薄膜、表面界面物性 , 半導体、光物性、原子物理

研究キーワード (2件)：半導体 , イオン散乱

競争的資金等の研究課題 (5件)：

論文 (88件)：

K. Mochizuki, T. Nishimura, T. Mishima. Re-evaluation of energy dependence of electronic stopping cross-section for Al ions into 4H-SiC(0001). Jpn. J. Appl. Phys. 2022. 61. 110902
S. Sato, S. Li, A. D. Greentree, M. Deki, T. Nishimura, H. Watanabe, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, B. C. Gibson, et al. Photon extraction enhancement of praseodymium ions in gallium nitride nanopillars. Sci. Rep. 2022. 12. 21208
T. Hidaka, K. Nakamura, H. Yoshimoto, R. Suzuki, Y. Zhao, Y. Ishiguro, T. Nishimura, K. Takai. Changing the structural and electronic properties of graphene and related two-dimensional materials using ion beam irradiation with NaCl sacrificial layers. Carbon Reports. 2022. 1. 22-31
Tomoaki Nishimura, Tetsu Kachi. Simulation of channeled implantation of magnesium ions in gallium nitride. Applied Physics Express. 2021. 14. 116502
Tomoaki Nishimura, Kiyoji Ikeda, Tetsu Kachi. Channeled implantation of magnesium ions in gallium nitride for deep and low-damage doping. Applied Physics Express. 2021. 14. 066503

MISC (1件)：

E. Garfunkel, D. Starodub, S. Sayan, L. Goncharova, T. Gustafsson, D. Vanderbilt, R. A. Bartynski, Y. J. Chabal, T. Nishimura. Ion Scattering Studies of High-K Gate Stacks. Abstracts of papers of the American Chemical Society. 2003. 226. U387-U387

書籍 (1件)：

講演・口頭発表等 (103件)：

4H-SiC(0001)へのAlチャネリングイオン注入に対する電子阻止断面積の再評価
(第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
リンドープn形ダイヤモンドへのホウ素イオン注入によるp形伝導層の形成
(第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
4H-SiCへのチャネリングイオン注入における臨界角のシミュレーション
(第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
WBG半導体におけるイオン注入
(先進パワー半導体分科会第9回講演会チュートリアル講演 2022)
Lanthanoid Implanted GaN with Enhanced Photon Emission for Nanophotonic Applications
(The 32nd Annual Meeting of MRS-J 2022)

学歴 (1件)：

学位 (1件)：

経歴 (9件)：

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委員歴 (1件)：

所属学会 (2件)：

日本物理学会 , 応用物理学会

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西村 智朗