梅田享英

ウメダタカヒデ | UMEDA Takahide

所属機関・部署：
職名：准教授

研究キーワード (2件)：量子センシング , パワーエレクトロニクス

競争的資金等の研究課題 (14件)：

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論文 (65件)：

梅田, 享英. 電柱検出ESRによるSiC中の欠陥検出のための+αの研究技術. 応用物理. 2024. 93. 2. 120-124
Kiyoi, Akira, 梅田, 享英. How does hydrogen transform into shallow donors in silicon?. PHYSICAL REVIEW B. 2023. 108. 23. 235201
Sometani, Mitsuru, Nishiya, Yusuke, Kondo, Ren, Inohana, Rei, Zeng, Hongyu, Hirai, Hirohisa, Okamoto, Dai, Matsushita, Yu-ichiro, Umeda, Takahide. Energy levels of carbon dangling-bond center (P_bC center) at 4H-SiC(0001)/SiO₂ interface. APL MATERIALS. 2023. 11. 11
Umeda, T, Watanabe, K, Hara, H, Sumiya, H, Onoda, S, Uedono, A, Chuprina, I, Siyushev, P, Jelezko, F, Wrachtrup, J, et al. Negatively charged boron vacancy center in diamond. PHYSICAL REVIEW B. 2022. 105. 16
Mizushima, Shigeki, Umeda, Takahide. Electron paramagnetic resonance study of silicon-28 single crystal for realization of the kilogram. METROLOGIA. 2022. 59. 2

書籍 (8件)：

SiC酸化膜界面のパッシベーション技術
応用物理学会先進パワー半導体分科会 2016 ISBN:9784863485846
応用物理
応用物理学会 2016
EDMR分光法によるシリコンMOSFET内部の結晶欠陥観察:トランジスタの中で欠陥は何をしているのか?(ISBN:978-4-86348-235-7)
応用物理学会分科会シリコンテクノロジーNo.146 2012
第40回薄膜・表面物理基礎講座「ナノ材料研究者のための表面・界面の評価技術の基礎と動向」(ISBN:978-4-86348-207-4)
応用物理学会薄膜・表面物理分科会 2011
半導体SiC技術と応用(第2版、松波弘之・大谷昇・木本恒暢・中村孝編著)
日刊工業新聞社 2011

講演・口頭発表等 (34件)：

a面4H-SiC MOS界面の室温~低温ESR/EDMR評価
(先進パワー半導体分科会第10回講演会)
シリコンの水素ドナーの同定(1)
(第84回応用物理学会秋季学術講演会)
シリコン中の水素ドナーの同定(1)
(第84回応用物理学会秋季学術講演会)
シリコン中の水素ドナーの同定(2)
(第84回応用物理学会秋季学術講演会)
Carbon dangling-bond energy levels at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface determined by EDMR, C-V, and first-principles calculation
(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM-2023))

学歴 (2件)：

経歴 (2件)：

受賞 (2件)：

所属学会 (1件)：

応用物理学会

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梅田 享英