- 2010 - 2012 超臨界流体を利用したナノキャパシタ構造形成プロセスの構築
- 2007 - 2007 超臨界流体を利用したULSIカーボンナノチューブ配線用ナノ触媒粒子の高密度合成
- 2004 - 2006 高信頼性ULSI多層配線形成CVDプロセスの開発
- 2005 - 2005 面積選択MOCVDを活用したInGaAsP化合物半導体結晶成長機構の解析とマイクロレーザアレイの作製
- 2002 - 2004 半導体デジタル全光デバイス・集積回路の研究開発
- 2000 - 2004 超機能化グローバル・インターフェース・インテグレーション研究
- 2001 - 2003 変調操作CVD法による薄膜形成における初期核発生・成長過程の制御
- 2000 - 2001 半導体レーザに基づく新しい波長多重光機能デバイス
- 1998 - 2001 電気自動車搭載を目的とした固体電解質型燃料電池の高効率化と小型化
- 1999 - 2000 選択MOVPEによる結晶成長制御手法の確立とモノリシック光集積回路作製への応用
- 1999 - 2000 変調操作を用いた非定常状態の積極利用によるULSI積層配線作製プロセスの高度化
- 1999 - 1999 エリプソメトリー、FT-IRを利用したInGaAsP CVDプロセスの解析
- 1997 - 1998 光情報通信基盤構築に向けた変形ポテンシャル量子マイクロ構造光制御デバイスの研究
- 1997 - 1998 半導体モノリシック光集積回路のための面積選択有機金属気相エピタキシ
- 1996 - 1997 光情報通信基盤構築へ向けた極限性能半導体レーザの開発
- 1996 - 1996 ECR-RIBEによる化合物半導体エッチングプロセスの反応工学的解析
- 1995 - 1996 変形ポテンシャル量子マイクロ構造の光物性と光制御デバイスへの応用
- 1995 - 1996 利得結合分布帰還型半導体レーザの共同研究
- 1995 - 1995 酸化物薄膜のCVD合成及びエッチングプロセスの反応工学的解析と低誘導率化
- 1995 - 1995 CVD製膜における微小温度勾配が製膜速度と物性に及ぼす効果
- 1994 - 1994 CVDプロセスとエッチングプロセスの反応工学的比較考察
- 1994 - 1994 CVD製膜における微小温度勾配が製膜速度物性に及ぼす効果
- 1993 - 1993 ECRプラズマエッチング装置による化合物半導体エッチング反応機構の解明
- 1991 - 1993 原子層レベルで制御された量子マイクロ構造に基づく高度機能光制御材料とその応用
- ドライプロセスシミュレーション
- CVDプロセス開発
- MOVPEによるInGaAsP化合物半導体薄膜形成と光集積回路作成への応用
- プラズマプロセスの反応工学的解析
- 変調操作CVD法によるULSI用薄膜形成
- Simulation on Dry Processes
- Development of CVD process
- Fabrication of InGaAsP thin films bu MOVPE and application to optical integrated circuits
- Chemical reaction engineering approach on analysis of plasma processes
- Fabrication of thin films for ULSI applications by flow modulation CVD method
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