土方泰斗

ヒジカタヤスト | Hijikata Yasuto

研究分野 (5件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学 , 光工学、光量子科学 , 結晶工学 , 応用物性

競争的資金等の研究課題 (13件)：

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論文 (111件)：

Yasuto Hijikata, Shota Komori, Shunsuke Otojima, Yu-Ichiro Matsushita, Takeshi Ohshima. Impact of formation process on the radiation properties of single-photon sources generated on SiC crystal surfaces. Applied Physics Letters. 2021. 118. 20
Takuma Narahara, Shin-Ichiro Sato, Kazutoshi Kojima, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima. Influences of hydrogen ion irradiation on NcVsi- formation in 4H-silicon carbide. Applied Physics Express. 2021. 14. 2
Yuichi Yamazaki, Yoji Chiba, Shin-Ichiro Sato, Takahiro Makino, Naoto Yamada, Takahiro Satoh, Kazutoshi Kojima, Yasuto Hijikata, Hidekazu Tsuchida, Norihiro Hoshino, et al. Carrier dynamics of silicon vacancies of SiC under simultaneous optically and electrically excitations. Applied Physics Letters. 2021. 118. 2
Shin-Ichiro Sato, Takuma Narahara, Shinobu Onoda, Yuichi Yamazaki, Yasuto Hijikata, Brant C. Gibson, Andrew D. Greentree, Takeshi Ohshima. Near infrared photoluminescence of ncvsi-centers in high-purity semi-insulating 4h-sic irradiated with energetic charged particles. Materials Science Forum. 2020. 1004. 355-360
Yoji Chiba, Yuichi Yamazaki, Shin-Ichiro Sato, Takahiro Makino, Naoto Yamada, Takahiro Satoh, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima. Enhancement of ODMR contrasts of silicon vacancy in SiC by thermal treatment. Materials Science Forum. 2020. 1004. 337-342

MISC (23件)：

本多智也, 本多智也, Kraus HANNES, Kraus HANNES, 加田渉, 小野田忍, 春山盛善, 春山盛善, 佐藤隆博, 江夏昌志, et al. プロトンマイクロビーム照射によるSiC中の発光中心の形成. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2016. 63rd
Sadafumi Yoshida, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi. Investigation of SiC/Oxide Interface Structures by Spectroscopic Ellipsometry. Advanced Silicon Carbide Devices and Processing. 2015
徳田英俊, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之. InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2013. 74th. 8. ROMBUNNO.17P-P7-15-08JL06-4
土方泰斗, 八木修平, 矢口裕之. SiC酸化メカニズム解明への試み : Si酸化との共通点/異なる点 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2013. 113. 87. 91-96
土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史. 酸化中のSi及びC原子のSiC層への放出現象における理論的検討<研究成果報告>. 埼玉大学工学部紀要第一部論文集. 2010. 44. 34-37

書籍 (1件)：

学歴 (1件)：

経歴 (3件)：

委員歴 (2件)：

受賞 (1件)：

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