研究者
J-GLOBAL ID:200901085029647821   更新日: 2024年01月30日

田口 大

タグチ ダイ | Taguchi Dai
所属機関・部署:
職名: 准教授
研究分野 (1件): 電気電子材料工学
競争的資金等の研究課題 (7件):
  • 2022 - 2026 先進的電子デバイスにおける劣化のサイエンス
  • 2021 - 2024 強誘電体の摩擦発電の研究
  • 2017 - 2022 分子静電気エレクトロニクスに向けた光学手法によるトライボ発電ミクロ起源の研究
  • 2017 - 2021 分子の励起状態を利用したアキラル分子へのキラリティ発現に関する研究
  • 2013 - 2017 光EFISHG法による積層有機ELの界面トラップキャリア分布とEL輝度劣化の研究
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論文 (1件):
  • Mohan V. Jacob, Rajdeep S. Rawat, Bo Ouyang, Kateryna Bazaka, D. Sakthi Kumar, Dai Taguchi, Mitsumasa Iwamoto, Ram Neupane, Oomman K. Varghese. Catalyst-Free Plasma Enhanced Growth of Graphene from Sustainable Sources. NANO LETTERS. 2015. 15. 9. 5702-5708
MISC (58件):
講演・口頭発表等 (80件):
  • Study of electrical conduction and electric field distribution in two-layer organic electroluminescence device by impedance and optical electroabsorption measurements
    (The Sixth International Conference on Materials Enginnering for Resorces 2010)
  • 電場誘起光第2次高調波発生による有機EL積層界面の電荷蓄積と輝度劣化特性の評価
    (第57回応用物理学関係連合講演会 2010)
  • IZO/α-NPD/Alq3/LiF/Al構造の有機EL素子の過渡SHG・EL応答特性と界面電荷の充放電
    (第57回応用物理学関係連合講演会 2010)
  • 電場変調吸収法およびEFI-SHG法によるITO/a-NPD/Alq3/Al素子内の 電界分布評価
    (2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会 2010)
  • ペンタセン薄膜の光電流と光起電力効果
    (2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会 2010)
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学歴 (2件):
  • - 2008 東京工業大学 理工学研究科 電子物理工学専攻
  • - 2008 東京工業大学
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東京工業大学)
経歴 (6件):
  • 2009 - -:東京工業大学 理工学研究科 特任助教
  • 2009 - -:Tokyo Institute of Technology Department of Physical Electronics
  • 2008 - 2008 :東京工業大学 理工学研究科 科学研究費教育研究支援員
  • 2008 - 2008 :Tokyo Institute of Technology Department of Physical Electronics
  • 2008 - -:東京工業大学 理工学研究科 産学官連携研究員
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