研究者
J-GLOBAL ID：200901085346242080   更新日: 2024年02月01日

須田 良幸

スダ ヨシユキ | Suda Yoshiyuki
所属機関・部署：
東京農工大学 工学研究院

東京農工大学 工学研究院 について


職名： 特任教授
研究分野 (4件)： 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  ナノマイクロシステム ,  ナノ材料科学
研究キーワード (18件)： 単電子回路 ,  単電子デバイス ,  太陽電池 ,  薄膜デバイス ,  メゾスコピックデバイス ,  量子効果デバイス ,  FETデバイス ,  メモリデバイス ,  半導体エピタキシー ,  Single Electron Circuit ,  Single Electron Device ,  Solar Battery ,  Thin Film Device ,  Mesoscopic Device ,  Quantum Effect Device ,  FET Device ,  Memory Device ,  Semiconductor Epitaxy
競争的資金等の研究課題 (27件)：
  • 2019 - 2022 GeSiSn/GeSn量子井戸を用いた高周波発振素子の開発
  • 2017 - 2020 スパッタ法による高Ge組成の完全圧縮歪SiGeを用いた高性能Si/SiGeRTD
  • 2016 - 2019 トランジスタとメモリ機能を有する転写フリーグラフェンデバイスの高性能化の研究
  • 2014 - 2017 PNメモリダイオードの開発と最密配列メモリへの応用
  • 2013 - 2015 スパッタエピタキシー法によりSi直上にGe平坦膜を形成するGe仮想基板形成技術
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論文 (36件)：
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MISC (1件)：
  • HANAFUSA Hiroaki, SUDA Yoshiyuki, KASAMATSU Akifumi, HIROSE Nobumitsu, MIMURA Takashi, MATSUI Toshiaki. Strain-Relaxed Si_<1-x>Ge_x and Strained Si Grown by Sputter Epitaxy. Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials. 2007. 2007. 292-293
特許 (30件)：
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Works (5件)：
  • ファームウェア用クロスポイント最密集積型メモリの開発
    2008 - 2008
  • ファームウェア用クロスポイント最密集積型メモリの開発
    2007 - 2008
  • 須田良幸(東京農工大学)および須原理彦(首都大学東京)の共同研究グループが、次世代のシリコン系超高速量子効果デバイスであるシリコン・ゲルマニウム系ユニポーラ型共鳴トンネルダイオードの室温発振に世界で初めて成功し、日刊工業新聞に掲載(2007年9月4日掲載).
    2007 - 2007
  • 共鳴トンネルダイオード特性の理論的解析
  • スパッタエピタキシ法の開発とシリコン系超高速デバイスの創製
学歴 (6件)：
  • - 1981 東北大学 工学研究科
  • - 1981 東北大学
  • - 1978 東北大学 工学研究科
  • - 1978 東北大学
  • - 1976 東北大学 工学部 電子工学科
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学位 (2件)：
  • 工学修士 (東北大学)
  • 工学博士 (東北大学)
所属学会 (3件)：
電気学会 ,  The Electrochemical Society ,  応用物理学会
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